公司动态 - mosfe_igbt 홀관/모듈_diode_ 장효과관_ mos 케이블

뉴스센터

일본 지진 연쇄반응 반도체 광각접착제 급전

증권시보망 (증권시보망)은"일본 도호쿠 213 강진으로 약 80%의 시장을 주도하고 있는 반도체 키움용 광각 (光카스코트) 공급이 차질을 빚었다"며"신쓰 (신쓰) 등 주요 공급업체들이 해외 공급에 차질을 빚자 신쓰 (신쓰) 가 공장 폐쇄를 선언했다"고 전했다.업계에 따르면 신웨 화학콜라겐 제품의 대만 대리주인 충웨 (숭)는 10% 가량 인상된 새 계약 가격을 올릴 예정이다. 화촹증권은 다음과 같이 지적했다. 전세계 광각접착제시장은 일본대공장이 주도하면서 80%의 시장을 차지했으며 좀처럼 가격변동이 없었다.그중 신주는 20%를 초과하며 대만에는 50% 이상의 반도체공장에서 선진적인 제도와 새로운 제정을 채용하는 신켈로스코트제품이 있다.최근 반도체 공급이 수요를 따르지 못하고 있는데, 광각접착제는 타이지전, 루관계전 등 웨이퍼 공장에서 생산하는 데 필요한 핵심소모품이다.업계에 따르면 현재 업계에 나타나고 있는 가격 인상은 국내 산업사슬 품귀 현상을 가중시킬 것으로 보이며 국내 업체들은 대체 기회를 맞이할 것으로 전망된다. 래원:증권시보 (백가호)

유럽은 반도체 산업을 부흥시키기 위해, 중국과의 협력을 희망한다

유럽 10여 개국은 이미 체결 「 구라파 프로세서와 반도체 과학기술 계획 공동성명 」, 향후 2~3년 내 선언 1450억 유로 (약 11527.645억 위안) 용 반도체 산업이 움직임은 중대 한 의의 가 있 그야말로 BaiMing 과학기술 유럽 부흥어야 한다고 생각 한다. 반도체 업종, 희망은 중국과 협력이다. 최근 몇십년래 유럽은 디지털칩시대에 드물게 성적을 거두었고 통신칩업계의 주요업종인 아시아칩기업과 미국칩업계가 선두를 다투고있다. 그리고 현재 유럽칩기업이 우세를 차지하는 곳은 모의칩과 자동차반도체이다. 아날로그 칩 시장에서 세계 10위권 안에 인피니온 · 이파반도체 · 은지포 등 반도체 업체 몇 개가 포진하고,이 3개 업체가 세계 3위, 4위, 6위를 차지하는 등 아날로그 칩 업계에서 강점을 보이고 있다. 이득이 구라파에서 탄생 벤츠 · bmw · 폴크스바겐 · 푸조 등 세계 유명 자동차 업체에 유럽 자동차 반도체 업계 선두를 구축,인 피니 온과 은지는 포 륜 번으로 세계 최대 자동차 반도체의 일인자 자리에 앉 그외 유럽 박사 크루프 지멘스 등 자동차 반도체 업계에서 일정 한 지위를 차지하고 있는 기업이다. 유럽 반도체 기업의 이런 우위는 바로 중국과 상호 보완관계를 형성할 수 있다.중국은 이제 막 모의 칩 업계에 진입했다. 분석 데이터에 따르면 중국산 모의 칩이 국내 시장에서 차지하는 비중은 10% 정도에 불과하다. 화웨이의 이런 처지 때문에 중국 각 업종은 미국 칩의 대체를 찾고 있다. 실제로 작년 하반기 이후 중국 휴대전화 업체들은 유럽 아날로그 반도체 사용률을 높였다. IC 인사이츠에서 중국 휴대전화 업체의 지원을 받았다. 인피니온 · 이탈리아 · 프랑스 반도체 · 은지포로의 경우 미국 반도체 업체인 더저우 인스트루먼트 · 디 (ADI · 계도) 등보다 수익이 많이 줄었다. 자동차 반도체 업계 에서는 중국과 유럽 협력부터 일부 성과를 거두었고 은지는 포 이미 투자 한 중국 자동 운전 기술 회사인 피니 온과 은지는 포 가 이미 중국과 앞 선 자동 운전 기술 기업 바 이두 apollo 공조, 유럽 반도체업체 희망에 의탁 하여 보이는 자동차 반도체 업종에서 그것들은 이미 취득 한 기술 우위를 중국 시장에 개입 한다. 세계 최대 자동차 시장으로 부상한 중국의 자동차업체들과 관련 기술 업체들이 자동조종 기술 개발에 힘을 쏟고 있다. 그러나 중국의 자동차반도체는 상대적으로 취약해 유럽에는 큰 기회가 될 수 있다. 중국-유럽에서는 이미 많은 과학기술 협력을 하였는바 4G 기술표준 LTE를 성공적으로 만들어 세계 유일 4G 기술표준으로 만들어 왔다. 중국-유럽련합은 반도체업종에서 거대한 협력의 기회를 갖고있으며 당면 국제환경에서는 중국-유럽협력공생이 가능하게 될지 모른다.

国内外功率半导体器件的发展

在特高压直流输电技术需求的驱动下，我国以晶闸管为代表的半控型器件技术已经成熟，水平居世界前列，6英寸的晶闸管已广泛用于高压直流输电系统，并打入国际市场，形成了国际竞争力。硅基IGBT器件国际上，2500V以上大功率IGBT主要供货商有英飞凌、ABB、三菱和东芝。ABB致力于器件开发、装置研制及工程应用，焊接型IGBT已有6500V/750A、3300V/1500A和1700V/3600A系列;压接型IGBT已有4500V/2000A、4500V/3000A系列，4500V/2000A已有工程应用，4500V/3000A仍处于试用与推广阶段。东芝的压接型IGBT采用圆形陶瓷管壳封装，主要有4500V/1500A和4500V/2100A系列，4500V/1500A在南澳柔性直流工程有应用。国内，研究机构与国内的芯片代工厂合作开发出3300V~6500V系列IGBT和FRD芯片。有一两家企业已独立开发出3300V/1200A，3300V/1500A，4500V/1200A系列焊接型IGBT产品并已得到不同程度的批量应用，目前正开发3300~4500V/2000~3000A压接型IGBT。总体来看，以ABB为代表的国际大公司在高压大功率IGBT方面一直处于引领者的地位，其器件技术水平比国内要领先一代左右，在市场占有方面处于垄断地位。而国内功率半导体研发制造企业只在一些单项技术方面取得了突破，尚未实现全产业链的整体突破，尚不具备与国外大公司相抗衡的能力。 SiC器件与传统硅器件相比，SiC器件有着更加优良的综合性能，如高电压、高结温等。20世纪90年代，美国、日本和德国就开始对SiC材料和功率器件相关技术进行研究，各种SiC功率器件相继问世。在SiC材料方面，SiC材料微孔问题已得到解决，SiC衬底材料已由4英寸逐渐过渡到6英寸。在SiC器件方面，国外SiC中低压器件已实现产品化，高压器件还处于样品研发与试用阶段。CREE和ROHM已推出1.2kV/300A全SiC模块产品，三菱公司研发出1.7kV/1200A混合模块和3.3kV/1500A全SiC功率模块样品。在SiC器件高压应用方面，CREE、POWEREX和GE联合研制一台基于SiC-MOSFET的容量为1MVA、开关频率达20kHz的单相电力电子变压器。国内在SiC材料方面，已研制出6英寸SiC衬底样品;外延方面，4~6英寸外延材料已初步形成产品;SiC器件方面，已研制出1.2kV/200A半桥结构的全SiC功率模块，3.3kV/600A混合模块样品;SiC器件高压应用方面，已研制出基于SiCMOSFET的200kVA换流器样机。在SiC器件领域，国外大公司仍是行业主导，在中低压中小功率SiC器件方面已形成完整产业链，出货量呈倍增态势，正在步入成熟期。国内现阶段基本以研究为主，集中于SiC技术链条中的个别点上进行攻关，总体看综合实力不强，在材料和外延方面尚存在短板，与国际先进水平还有一定差距。

微软为何要自研芯片

微软正在为其服务器以及未来的Surface设备自行设计基于Arm的处理器芯片。报道称，这些服务器芯片将用于微软Azure云服务中，另外，微软还在为其某些Surface设备设计“另一种芯片”。微软为何要自研芯片?对微软来说，过去几十年依赖的是Wintel联盟。而随着ARM在移动领域崛起，这个联盟正在遭遇挑战。Wintel联盟所依仗的是，是X86生态系统。从80年代开始，无数软件都是围绕着X86指令集开发的，微软也一直保留着足够的兼容性，Office95可以在2020年的Win10系统中正常运行。但是，随着ARM在移动领域的崛起。在一些不需要兼容性的领域，X86已经没有优势了。而微软恰恰，既有云计算业务，也有移动业务。在这些业务继续用X86竞争是失败的。在云计算领域，因为生态系统关系很小，ARM在算力成本功耗的优势非常明显，做云计算的厂商纷纷换用ARM解决方案。微软跟进完全正常。自研服务器芯片以提高性价比相比于自研电脑处理器芯片，微软将基于Arm自研服务器芯片更加有趣。此前，微软在云计算方面的竞争对手亚马逊已经在一年前推出了自己的基于Arm的Gravition2处理器芯片，提高性能与成本优势并进入正轨，他们认为自己的芯片更适合他们的某些需求，与主要由英特尔提供的现成芯片相比，具有成本和性能优势，微软可能出于同样的考虑而开始自研芯片。2017年，微软宣布与高通和Cavium在内的多家Arm供应商合作，尝试在Windows Server上运行Arm芯片，但仅用于微软自己的数据中心，目的是评估Azure服务，微软认为基于Arm的服务器芯片对于内部的云服务应用程序十分有效，例如搜索、存储、大数据与机器学习等工作负载。对于是否会自研服务器芯片，微软发言人Frank Shaw表示：“由于芯片是技术的基础，我们将继续在设计、制造和工具等领域加大投资，同时也促进和加强与众多芯片提供商的合作伙伴关系。”近几年，微软加大芯片工程师的招聘力度，比如从英特尔AMD、英伟达等芯片公司挖人，而高通在放弃服务器芯片业务后，大量人才也纷纷流失。在微软最近发布的一份帖子中，提到了微软在其数据中心内围绕ARM64服务器进行的工作，这可能将是公司在2017年宣布的计划的延续。如今，越来越多的公司开始寻找新的解决方案以应对支撑云计算和智能手机生产的大量数据，人工智能芯片设计自动化之后，引发了新芯片设计的狂潮，尤其是对于拥有巨型数据中心的公司而言，对功耗的考虑日益重要，这时基于Arm的芯片就成为更加节能更加优秀的选择。

各功率器件厂商在加码布局 SiC 领域

12 月 24 日讯在新能源汽车缺少芯片的背景下，国内相关企业也开启扩大功率器件产能之路。近日比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的 IGBT 已经走到 5 代，碳化硅 mosfet 已经走到 3 代，第 4 代正在开发当中。目前在规划自建产线，预计到明年有自己的产线。目前，比亚迪拥有包含芯片设计、晶圆制造、封装测试和下游应用在内的一体化经营全产业链。比亚迪表示，经过十余年的研发积累和于新能源汽车领域的规模化应用，比亚迪半导体已成为国内自主可控的车规级 IGBT 领导厂商。此外，比亚迪半导体也拥有多年的研发积累、充足的技术储备和丰富的产品类型，与来自汽车、消费和工业领域的客户建立了长期紧密的业务联系。比亚迪半导体表示，将以车规级半导体为核心，同步推动工业、消费等领域的半导体发展，致力于成长为高效、智能、集成的新型半导体供应商。事实上，除了比亚迪自建 SiC 产线外，国内其他的功率器件厂商也在加码布局 SiC 领域。产业链以欧美日为主，国产替代空间较大。SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是衬底、外延、器件与模组三大环节。目前全球 SiC 产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势，其中美国衬底全球独大。而比亚迪半导体的突破，恰恰打开了国产工控和汽车级 MCU 芯片的大门。近日，斯达半导发布关于投资建设全碳化硅功率模组产业化项目的公告称，公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资 22,947 万元，投资建设年产 8 万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，项目将按照市场需求逐步投入。

芯片涨价，不止台积电

据市场研究机构Strategy Analytics最新报告显示,2019年全球排名前五的汽车半导体厂商分别为英飞凌、恩智浦、瑞萨电子、德州仪器和意法半导体。而受制于疫情和对芯片需求预期不足,在此前大众爆出停产消息时,恩智浦和瑞萨电子就已经陆续放出产能吃紧的消息。恩智浦在致客户的一封信中表示,为解决供应商带来的不可预见的成本增长,公司“很不情愿地”提高所有产品的价格。瑞萨电子也于11月30日向客户发送提价通知,称由于原材料和包装基板成本增加,拟从2021年1月1日开始上调部分模拟和电源产品价格。瑞萨还解释称,公司近期面临库存、成本增加压力和产品运输风险,不得不上调价格来保证这些产品得到持续的投入和生产。作为全球首屈一指芯片代工巨头,台积电都要面临涨价,其他排名前列的汽车半导体厂商自然也是难以幸免。对于这股全行业的芯片荒,中汽协结合调研企业的反馈,总结出以下几个原因: 一来,是近年来全球芯片行业产能投资相对保守,供需不平衡问题在新冠肺炎疫情前就已经有所表现,而疫情的爆发则加剧了产能投资的谨慎。上半年芯片行业对消费电子和汽车市场预测偏保守,对今年下半年中国汽车市场发展趋好预判及准备不足,因此从下半年中国市场逆势增长渐入佳境的11月开始,芯片缺口开始显现。其次,在5G技术发展推动之下,今年消费电子领域对芯片的需求在快速增加,芯片产能遇到挑战,抢占了部分汽车芯片的产能。且这种趋势在2021年可能会进一步加剧,同时许多芯片领域制造商都在削减汽车行业必要的资本开支,提升价格,降低汽车行业芯片的生产配额。据媒体报道,台积电2021年先进制程产能已经被 “预订一空”。其中苹果 iPhone 应用处理器及 Arm 架构电脑处理器扩大量产规模,占据了台积电5nm芯片超过八成产能。此外,欧洲和东南亚受第二波新冠肺炎疫情的影响,主要芯片供应商降低产能或停工事件陆续发生,进一步加剧了芯片供需失衡。而更本质的原因在于,汽车电动化、智能化、网联化程度在不断提高,车用芯片的单车价值持续提升,推动全球车用芯片需求将快于整车销量增速。需求量不断爆发,产能却被削弱被瓜分,汽车芯片想不缺都难。

芯片行业的发展前景不可估量

毋庸置疑，中国是半导体的最大消费国，占全球芯片需求量的45%，供内需与外销之用。然而，中国70-80%以上的芯片需求仰赖进口集成电路。中国的集成电路公司较晚进入半导体市场，约落后其他国家20年，因此在这个成功与否依赖规模与学习效率的产业里，中国一直都还在苦苦追赶其他竞争对手的脚步。中国政府曾多次尝试建立一个本地的半导体产业，但都未能开花结果。不过，现在看来，不管是产业或政策方面，都已出现转机。如今，中国设计的低成本智能型手机正充斥着市场，例如中国设计、采用Android系统的电话在五年前还是默默无闻的小兵，现在却已经拿下50% 的全球市场。联想集团在2014年初先以23亿美元收购IBM名为“x86服务器”的低端服务器业务，再以近30亿美元从Google手上买下MOTOROLA 移动部门，这些重大收购案在显示硬件客户群正移往中国。从汽车、工业控制到企业设备等，各个产业的跨国企业都纷纷在中国大陆建置设计中心，以贴近消费者并利用中国本地人才。麦肯锡的调研结果显示，50% 以上的个人计算机以及30% 至40%的内建系统(常见于汽车、商业、消费者、工业、医疗应用程序中)都含有中国设计的内容，包括由中国企业直接设计或是由国际公司的中国研究室研发。随着设计活动持续移往中国，中国很快就能左右全球高达50% 的硬件设计(包括电话、无线设备、其他消费电子产品)。无厂半导体公司亦正在中国崛起，以服务本地消费者。举例来说，总部设在上海、设计手机芯片的展讯通信有限公司，以及总部设在深圳、专门供应华为，也是国内最大的半导体设计公司之一的海思半导体有限公司，都是近几年快速成长的本地设计公司。本地晶圆厂则呈现缓慢但稳定的成长。随着三星、台积电、德州仪器等国际公司纷纷在中国设厂，一个真正的技术集群区正逐步形成，而国内厂家如上海华力微电子、中芯国际、武汉新芯等国内大晶圆厂可望因此而受益。

中芯国际列入“实体清单” 正寻求解决方案

中芯国际确认并回应了被美国列入“实体清单”。 12月20日晚间，中芯国际发布纳入“实体清单”的说明公告，公司关注到美国商务部以保护美国国家安全和外交利益为由，将中芯国际及其部分子公司及参股公司列入“实体清单”。中芯国际表示，经公司初步评估，该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响，对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响，公司将持续与美国政府相关部门进行沟通，并视情况采取一切可行措施，积极寻求解决方案，力争将不利影响降到最低。积极寻求解决方案谈及具体影响，经中芯国际初步评估，该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响，对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响，公司将持续与美国政府相关部门进行沟通，并视情况采取一切可行措施，积极寻求解决方案，力争将不利影响降到最低。国内半导体业内人士对证券时报·e公司记者分析，考虑到美国在半导体领域的地位，本次事件对中芯国际在先进制程领域的发展构成了明显的不利影响。从行业现状看，集成电路晶圆代工行业对原材料和设备有较高要求，部分重要原材料及核心设备在全球范围内的合格供应商数量较少，大多来自中国境外，而美国基本主导半导体设备行业。从投资规模看，先进集成电路大规模生产线的投资可达100亿美元，75%以上是半导体设备投资，其中最关键、最大宗的设备是光刻机、等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等。美国政府的此番举动，令中芯国际陷入了内忧外患的境地。毕竟，该公司近日还正经历一场重大的人事危机，联合CEO梁孟松突然辞职。上述人事危机是否还有回旋余地，目前尚未可知。前述中芯国际方面人士对证券时报·e公司记者回应称：“公司最高管理层人事变动，还请以公司发布公告为准。”

你所想知道的小芯片

在半导体工业生产中，晶片是设计用于与别的晶片融合的光伏电池晶片。这种模貝能够以不一样的方法组成在一起，包括竖直层叠，随后将这种模貝安裝到单独基钢板层上，随后封裝。单独芯片中间的互联能够根据多种多样方法完成，包括电极连接线和应用金属材料埋孔的立即联接。应用芯片的半导体元器件一般将其设计分为关键的子电源电路，包括仿真模拟前端开发、CPU、储存器和GPU。尽管芯片愈来愈火爆，但与应用单独半导体的规范片式设计对比，芯片依然是一个目标市场。殊不知，现阶段晶体管的经营规模，现在在10纳米技术下列，这代表着半导体材料轧钢厂必须十分整洁，空气中的尘土要尽量少（每立方空气中最少要有10个尘土顆粒）。这是由于尘埃粒子着陆在10nm晶体管上不但会毁坏该晶体管，并且会因为尘埃粒子的尺寸而危害周边数千个晶体管（记牢，尘埃粒子比10nm晶体管大好多个量级）。中小型晶体管遭遇的第二个难题是半导体材料中的单独点缺陷很有可能造成晶体管常见故障。因而，一个拥有难以想象的小晶体管的芯片，其分子结构基本上不可以有一切点缺陷，由于这会造成芯片出現常见故障的概率很高。提升晶体管规格较小的芯片的生产量能够根据减少芯片的总规格来完成；可是，这会造成安裝在单独芯片上的晶体管更少。假如每一个芯片的物理学规格提升，它将容许大量的晶体管，因而更强劲的电源电路，但結果是每一个芯片的成本上升，由于大量的芯片因常见故障而被丢掉。一个解决方法是应用小芯片，这是一个早已刚开始越来越愈来愈时兴的解决方法。小芯片，是更小的作用芯片，能够运用当代的10纳米技术下列晶体管作用，容许强劲的繁杂作用。即便如此，智能终端将好几个芯片集成化到一个独立的封裝中，最后的結果是一个功能齐全、晶体管总数高的机器设备，进而降低了不成功芯片的总数。这相反又减少了模貝的最后成本费，并使生产量利润最大化。

功率半导体器件分类

功率半导体器件分类按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类： 1.半控型器件，例如晶闸管； 2.全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），PowerMOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）； 3.不可控器件，例如电力二极管；按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类： 1.电压驱动型器件，例如IGBT、PowerMOSFET、SITH（静电感应晶闸管）； 2.电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR；根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类： 1.脉冲触发型，例如晶闸管、GTO； 2.电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT；按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类： 1.双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR； 2.单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管； 3.复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。

特诺 TNPF20N65 封装TO-220F

特诺 TNPF20N65 封装TO-220F 硅N沟道增强 VDMOSFET，是通过自对准平面技术获得的降低了传导损耗，改善了开关性能性能和增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化、高效率。包装形式是 TO-220F，符合RoHS标准。特点：l快速切换低导通电阻（Rdson≤0.50Ω）低栅电荷（典型数据：58nC) 低反向传输电容(典型值：20pF) 100%单脉冲雪崩能量试验无卤素用途：电源开关电路的适配器和充电器。特诺半导体有限公司致力于碳化硅技术的发展，主营品牌：MOSFET、IGBT单管/模块、Diode、单片机MCU、集成电路IC、场效应管、MOS管、IC芯片、BJT产品、二极管、SGTMOS，各种集成电路定制化解决方案。特诺半导体针对多个应用领域推出600V/1200V/1350V、15A/25A/45A/60A等多个系列的绝缘栅双极型晶体管IGBT产品，产品根据不用应用频率尔设计。特诺半导体官网 https://www.tnsemi.com/

特诺 TNPF12N65 封装TO-220F

特诺 TNPF12N65 封装TO-220F 硅N沟道增强 VDMOSFETs是通过自对准平面技术获得的降低了导通损耗，改善了开关性能性能和增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和高效率。包装形式是 TO-220F，符合RoHS标准。特点：快速切换 l低导通电阻（Rdson≤0.8Ω）l低栅极电荷（典型数据：40nC) 低反向转移电容(典型值：9.5pF) 100%单脉冲雪崩能量测试应用：电源开关电路的适配器和充电器。

对二极管控制电路与故障分析

控制电路的一般分析方法说明对于控制电路的分析通常要分成多种情况，例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言，控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。（1）电路中没有录音信号时，直流控制电压Ui为0，二极管VD1截止，VD1对电路工作无影响，第一级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。（2）当电路中的录音信号较小时，直流控制电压Ui较小，没有大于二极管VD1的导通电压，所以不足以使二极管VD1导通，此时二极管VD1对第一级录音放大器输出的信号也没有分流作用。（3）当电路中的录音信号比较大时，直流控制电压Ui较大，使二极管VD1导通，录音信号愈大，直流控制电压Ui愈大，VD1导通程度愈深，VD1的内阻愈小。（4）VD1导通后，VD1的内阻下降，第一级录音放大器输出的录音信号中的一部分通过电容C1和导通的二极管VD1被分流到地端，VD1导通愈深，它的内阻愈小，对第一级录音放大器输出信号的对地分流量愈大，实现自动电平控制。（5）二极管VD1的导通程度受直流控制电压Ui控制，而直流控制电压Ui随着电路中录音信号大小的变化而变化，所以二极管VD1的内阻变化实际上受录音信号大小控制。故障检测方法和电路故障分析对于这一电路中的二极管故障检测最好的方法是进行代替检查，因为二极管如果性能不好也会影响到电路的控制效果。当二极管VD1开路时，不存在控制作用，这时大信号录音时会出现声音一会儿大一会儿小的起伏状失真，在录音信号很小时录音能够正常。当二极管VD1击穿时，也不存在控制作用，这时录音声音很小，因为录音信号被击穿的二极管VD1分流到地了。

晶体管越老，功耗却越低？

大家都知道，电子控制系统芯片中的晶体管会伴随着時间而慢慢老化。他们会渐渐地显旧，反映越来越缓慢，问题愈来愈多，乃至忽然奔溃卡死。但是一切都是有多面性，尽管晶体管老化对电子设备并不是好事儿，但其功能损耗却伴随着時间的变化而减少。在这个节奏快、快消費的时代，大家一直在求进、急于求成。不仅是手机上、电脑上、汽车，就连大家本身，都要想时尚潮流，新朝，不过时。假如想对你说老有老的好，老旧的旧的妙，你一定不可以认可。但客观事实确是这般，大家何不看好多个事例。大家都了解汽车有一个磨合时间，新汽车在最开始的 2000 千米里程数需要留意磨合期，便于每个构件较为畅顺地符合搭配，使汽车总体性能、使用期和安全驾驶感受达到最佳。实际上人也是一样，并不是一直年青的好，我们知道，大家年轻时代学习培训的专业知识，务必历经人生道路的历炼，必须時间的累积，才可以变为聪慧。那麼，智能机、电脑上等电子设备是不是也是有相近的趣味规律性呢？一般顾客或许并不关注电脑上 CPU、智能机储存器和汽车主动刹车系统软件的老化难题。可是做为电子控制系统室内设计师或芯片设计方案技术工程师，我们知道这种电子控制系统芯片中的晶体管是会慢慢老化的。跟人与汽车一样，他们会渐渐地显旧，反映越来越缓慢，问题愈来愈多，乃至忽然奔溃卡死。晶体管 BTI 转变系统对的积极主动功效一切都是有多面性，尽管芯片中晶体管的老化对电子设备并不是好事儿，但其功能损耗却伴随着時间的变化而减少，它是美国南安普敦高校电子技术专家教授 Bashir Al-Hashimi 在一系列模拟仿真和实验后得到的结果。这名专家教授以及精英团队对晶体管的一种特点—偏压溫度多变性(Bias Temperature Instability，BTI)开展了检测，发觉 BTI 的转变对芯片和系统软件总体系统软件有正脸危害。什么叫 BTI？简易来说，便是晶体管处在“开”情况时的一种正电荷堆积效用，在晶体管安全通道以及门绝缘层物质中间产生正电荷累积，这会更改晶体管电源开关转换情况的工作电压，伴随着時间的变化晶体管电源开关情况转换姿势会愈来愈慢。伴随着芯片生产商大量选用高 K 电解介质和铝合门原材料，这类偏压多变性愈来愈显著。 Bashir Al-Hashimi 专家教授的精英团队在模拟仿真实验中应用的是高性能 CMOS 逻辑性晶体管，BTI 老化促使这种元器件的具体功能损耗在减少。实验说明，模拟仿真 1 个月的应用，静态数据功能损耗减少大概 50%，10 年减少 78%。静态数据功能损耗是晶体管不工作中时耗费的动能，它是因为晶体管安全通道上的电流量泄露造成的。而在现如今的芯片设计方案中，晶体管绝大多数时间处在这类情况，因而由 BTI 产生的功能损耗减少是比较显著的。在具体芯片检测中，应用 5 年之后漏电流大概减少 11%。具体的电子控制系统功能损耗减少可否做到期待的水平还不知道，但最少晶体管老化与功能损耗减少的关联理论上是说得通的。这是不是代表着智能机使用时间越长，充电电池续航力性能反倒越好呢？如果我们由此得到那样的结果，难免过度果断。终究智能机的充电电池续航力性能和使用期在于多种多样要素，例如充电电池自身的原材料和性能、电池管理技术性、电脑操作系统、安裝的 APP 手机软件和客户应用习惯性等。顾客要求和市场需求一直驱动器着手机制造商和芯片经销商不断更新迭代，新品取代周期时间愈来愈短，在那样的自然环境下顾客和店家系统对芯片的老化效用不容易关心的。可是，大家技术工程师在设计方案芯片和智能产品商品时，却迫不得已考虑到其危害。芯片里程数明尼苏达高校电气专业专家教授 Chris H. Kim 早在 10 很多年前就刚开始对晶体管老化对芯片和电子控制系统的危害刚开始开展科学研究和实验。他最开始明确提出了“芯片里程数(Odometer for silicon chip)”的定义，并开发设计出一种电源电路用以精确测量很有可能危害芯片性能的晶体管老化指标值，他期待能将这类电源电路集成化进微控制器芯片设计方案中，以帮助微控制器自动识别运行性能，根据平衡几类老化指标值来让芯片自始至终处在最好性能情况。Kim 专家教授以及精英团队在芯片里程数层面的科学研究早已成效显著，半导体材料科学研究企业授于其 2016 年非凡技术奖就是半导体材料业内对其科学研究的毫无疑问。芯片里程数能够精确测量晶体管老化的三个指标值：热载流子引入(HCI)、偏压溫度多变性(BTI)、经时介质击穿(TDDB)。BTI 上文早已表述过，HCI 就是指晶体管产生情况转换时的老化，正电荷停留在晶体管门物质上，那样元器件电源开关变换的工作电压就会更改。BTI 和 HCI 或许对芯片一切正常工作中沒有显著的危害，但 TDDB 就会造成毁灭性的难题，伴随着晶体管的老化，各种各样缺点会在门物质上沉积，堆积到一定水平就会造成短路故障，进而造成芯片乃至全部崩溃。这就跟人一样，伴随着年纪的提升，身体机能刚开始老化，各种各样病症刚开始出現，比较严重时乃至造成癌病。 Kim 专家教授明确提出的“芯片里程数”定义以及相对的精确测量电路原理早已造成半导体业的高度重视，包含 Intel、TI 和 IBM 以内的芯片生产商早已在其芯片开发设计中考虑到晶体管老化的危害，已经采用适度的方法来赔偿由于老化造成的芯片性能降低。或许迅速在新的芯片中，就会集成化相近“芯片里程数”的程序模块。伴随着芯片设计方案和生产制造加工工艺的发展趋势，及其智能产品的电脑操作系统和手机软件的完善，将来的智能产品在比较有限的供电系统自然环境下依然可以不断工作中很多年，或许这要一部分得益于“芯片里程数”。在我们已不为了更好地追逐时尚潮流而经常更换手机时，大家很有可能会应用一部心爱的手机上超出 3 年，手机上的续航能力居高不下也许就不奇怪了。

MOS管拆装步骤

一、枪温度调试，把风枪调到 320 度，风速 1 档，MOS 管属于小型玻璃管，容易夹裂，所以在拆的时候一定要小心，撬的时候用力一定轻，要顾及周围的元器件不能碰到，如果有带胶的芯片需要避开，吹的过程中风枪不能停留太久。　　二、撬 MOS 管的时候要用锋利一点的刀片，把刀片放在 MOS 管下面，用手指往上带一点力度，风枪一直对着吹，待锡刚融化时 MOS 管会自然脱落。　　三、MOS 管属于带胶芯片，撬下来时需要对主板进行除胶，除胶的时候要小心不能太大力度，不然会掉点，除胶用镊子尖去轻轻刮就好了，或者用斜口刀进行刮胶，把主板焊盘上所有的胶都清理干净。　　四、放少量焊油用烙铁把焊盘拖均匀，不能有明显的高低不平，用洗板水把焊盘清洗干净。　　五、芯片除胶，小芯片用烙铁尖刮胶就可以了　　六、MOS 拆下来也是需要植锡的，用纸巾把刮锡刀上面的锡膏多余的焊油吸干（尽量干一点），把植锡网洗干净（每个小孔都不能有异物），把 MOS 管铺在一块纸巾上面，用植锡网对准　　往上面涂锡膏，抹均匀干净以后用无尘布来回擦一擦，把风枪调到 280°，风速全部关掉,风枪口从远到进慢慢在植锡网上移动，植好锡以后取下时要小心，用镊子在锡珠处轻轻从上往下顶，取下时放少量焊油，用风枪吹待锡珠全部归位。　　七、装 MOS 管是有脚位的，在 MOS 管的背面都有一个小点，称为脚，在拆下时是需要看方向的,如果忘记了该怎么办，找一个板来对比，没有板在图纸或者位号图里面查找方向。　　八、把焊盘放少量焊油，焊油太多会移位，把 MOS 管用镊子夹到需要焊接的主板上,方向摆好,风枪温度同样是 320 度，风速 1 档，对准 MOS 管吹焊时间在 15 秒，待锡珠融化后用镊子轻轻触碰，MOS 管会自动复位就说明已经焊好。

对集成电路作出正确判断

如何准确判断电路中集成电路IC是否“偷懒”没处在工作状态，是好是坏是修理电视、音响、录像设备的一个重要内容，判断不准，往往花大力气换上新集成电路而故障依然存在，所以要对集成电路作出正确判断。 1、首先要掌握该电路中IC的用途、内部结构原理、主要电特性等，必要时还要分析内部电原理图。除了这些，如果再有各引脚对地直流电压、波形、对地正反向直流电阻值，那么，对检查前判断提供了更有利条件；2、然后按故障现象判断其部位，再按部位查找故障元件。有时需要多种判断方法去证明该器件是否确属损坏。3、一般对电路中IC的检查判断方法有两种：一是不在线判断，即电路中IC未焊入印刷电路板的判断。这种方法在没有专用仪器设备的情况下，要确定该电路中IC的质量好坏是很困难的，一般情况下可用直流电阻法测量各引脚对应于接地脚间的正反向电阻值，并和完好集成电路进行比较，也可以采用替换法把可疑的集成电路插到正常设备同型号集成电路的位置上来确定其好坏。当然有条件可利用集成电路测试仪对主要参数进行定量检验，这样使用就更有保证。还有在线检查判断，即集成电路连接在印刷电路板上的判断方法。在线判断是检修集成电路在电视、音响、录像设备中最实用的方法。以下分几种情况进行阐述：1、直流工作电压测量法：主要是测出各引脚对地的直流工作电压值；然后与标称值相比较，依此来判断集成电路的好坏。用电压测量法来判断集成电路的好坏是检修中最常采用的方法之一，但要注意区别非故障性的电压误差。测量集成电路各引脚的直流工作电压时，如遇到个别引脚的电压与原理图或维修技术资料中所标电压值不符，不要急于断定集成电路已损坏，应该先排除以下几个因素后再确定。1)所提供的标称电压是否可靠，因为有一些说明书，原理图等资料上所标的数值与实际电压有较大差别，有时甚至是错误的。此时，应多找一些有关资料进行对照，必要时分析内部原理图与外围电路再进行理论上的计算或估算来证明电压是否有误。2)要区别所提供的标称电压的性质，其电压是属哪种工作状态的电压。因为集成块的个别引脚随着注入信号的不同而明显变化，所以此时可改变波段或录放开关的位置，再观察电压是否正常。如后者为正常，则说明标称电压属某种工作电压，而这工作电压又是指在某一特定的条件下而言，即测试的工作状态不同，所测电压也不一样。3)要注意由于外围电路可变元件引起的引脚电压变化。当测量出的电压与标称电压不符时可能因为个别引脚或与该引脚相关的外围电路，连接的是一个阻值可变的电位器或者是开关(如音量电位器、亮度、对比度、录像、快进、快倒、录放开关、音频调幅开关等)。这些电位器和开关所处的位置不同，引脚电压会有明显不同，所以当出现某一引脚电压不符时，要考虑引脚或与该引脚相关联的电位器和开关的位置变化，可旋动或拔动开头看引脚电压能否在标称值附近。4)要防止由于测量造成的误差。由于万用表表头内阻不同或不同直流电压档会造成误差。一般原理上所标的直流电压都以测试仪表的内阻大于20KΩ/V进行测试的。内阻小于20KΩ/V的万用表进行测试时，将会使被测结果低于原来所标的电压。另外，还应注意不同电压档上所测的电压会有差别，尤其用大量程档，读数偏差影响更显著。5)当测得某一引脚电压与正常值不符时，应根据该引脚电压对IC正常工作有无重要影响以及其他引脚电压的相应变化进行分析，才能判断IC的好坏。6) 若IC各引脚电压正常，则一般认为IC正常；若IC部分引脚电压异常，则应从偏离正常值最大处入手，进口泵检查外围元件有无故障，若无故障，则IC很可能损坏。7)对于动态接收装置，如电视机，在有无信号时，IC各引脚电压是不同的。如发现引脚电压不该变化的反而变化大，该随信号大小和可调元件不同位置而变化的反而不变化，就可确定IC损坏。8)对于多种工作方式的装置，如录像机，在不同工作方式下，IC各引脚电压也是不同的。2、交流工作电压测量法：为了掌握IC交流信号的变化情况，可以用带有dB插孔的万用表对IC的交流工作电压进行近似测量。检测时万用表置于交流电压挡，正表笔插入dB插孔；对于无dB插孔的万用表，需要在正表笔串接一只0.1～0.5uF隔直电容。该法适用于工作频率比较低的IC，如电视机的视频放大级、场扫描电路等。由于这些电路的固有频率不同，波形不同，所以所测的数据是近似值，或者作为有无。总的来说，在进行集成块直流电压或直流电阻测试时要规定一个测试条件，尤其是要作为实测经验数据记录时更要注意这一点。通常把各电位器旋到机械中间位置，信号源采用一定场强下的标准信号，当然，如能再记录各功能开关位置，那就更有代表性。如果排除以上几个因素后，所测的个别引脚电压还是不符标称值时，需进一步分析原因，但不外乎两种可能。一是集成电路本身故障引起；二是集成块外围电路造成。分辨出这两种故障源，也是修理集成电路家电设备的关键。

MOS와 IGBT의 정의 및 판단

MOS 관과 IGBT 관은 현대전자설비의 사용빈도가 비교적 높은 신형전자부품으로 전자회로에서 자주 만나다.그러나 MOS 관과 IGBT 관은 외부 및 정적인 계수가 너무 비슷해 외부 대비, 판단, 사용에 막차가 생기기 쉽다.MOS 관과 IGBT의 확실한 인식 방법은 장단점을 대비, 판단, 활용하는데 필요한 모스 스탭이다. mos 관리 MOS 관은 즉 MOSFET, 중문명 금속산화물 반도체절연장효과관이다.저항 높고 스위치 속도가 빠르며 열 안정성 전압 제어 전류 등이 특징이다.  igbt 관리 IGBT는 울타리를 친 쌍극형장질트랜지스터로서 MOS 관과 결정 3 극소자의 조합이다. MOS는 수입관으로하고 트랜지스터는 수출관으로 한다.하여 삼극관의 공률이 매우 크므로이 두가지 조건을 결합하면 바로 MOS 관의 장점을 얻을수 있고 또 트랜지스터 삼극관의 장점을 얻을수 있다. 요약하면이 두 가지 트랜지스터, 현재 전자 설비 사용 빈도 가 높은 전자부품, 양자는 외형 및 고정 계수 닮 일부 전자 제품은 기술 독점이 존재 한다. 회로에서 때로는 그들의 모델은 삭제 되, 지금까지 그들은 딴 표준 및 모델 통 통일 기준도 없고 발 외형 및 관리의 배열이 비슷하다. 근본적으로 불규칙하는 수리 과정에서 걸림돌이 되는 어떻게 구분과 판단에 따라 필요 한 수단으로 되였다. MOS와 IGBT의 MOS 경계를 이미가쇠 된 NPN 형 IGBT 관과 N 채널 강화형 맘관의 식별 가쇠 된 NPN 형 IGBT 관은 N 도관의 강화형 맘관이 관 (부모)으로 되는 극과 같다. IGBT 관의 C 극과 모ds 관의 D 극 위치가 대응된다. 정지상태에서 MOS 관과 IGBT 관의 좋고 나쁨을 판단하다. 먼저 두 도관의 대합선을 없애고 정전기 대비 (모스) 관의 D 극과 S 극 사이의 PN 접속을 하는데 이때 정자도관이 반대pn 접합으로 되는데 이때 Rgd = Rgs = Rds = 무한대, Rsd = 몇천로그램이 있다.IGBT의 G 극에서 c, e 극의 저항은 무한대로, 즉 Rgc는 Rge = Rge = 무한대로, IGBT 관 사이에 감쇠 다이오드기가 있어 Rce = 만큼의 전기가 반대쪽으로 흐르는 특성, 즉 Rce = 수천 루그린다.때문에 만능도표의 저항기변만으로 관의 좋고나쁨을 판단할수 있지만 그런 도관인지 아닌지를 구분할수 없다.저항치를 측정하면 도관이 뚫려나갔음을 의미하고 저항치를 측정하면 도관내부가 단절되였음을 의미한다. 동태적계단은 MOS 관과 IGBT 관을 구분 관 울타리에 압력을 가하면서 장소효과관으로 도랑을 친 다음 D, S와 c, e 사이의 내비를 계수하고 내치의 차이에 따라 MOS 관과 IGBT 관을 구분한다. 만극표의 저항차로 두 도관의 D, S 및 c, e 사이의 저항을 측정한다. 장력응계로 이미 도관을 만들었는데 Rds = Rds ≈0, Rce 간에는 저항 Rce의 지도가 있으며 트랜지스터 3 극관의 확대상태의 전도저항의 경우 Rec는 내부의 감쇠 다이오드의 전도저항의 수천옴이다.이에 따라 두 개의 수도관에서 나타나는 MOS의 전도성 차는 같고 D와 S의 MOS 저항치는 IGBT와 c, e의 저항치보다 떨어져 MOS과 IGBT를 가릴 수 있다.

기초지식에 대한 전자소자 구입

1. 전자부품 기초지식 전자소자는 전자소자와 중소형 설비, 기기 설비의 구성부분으로 그 자체가 흔히 여러 개의 부품으로 구성되며 동종 사용할수 있다.유는 가전제품, 무선통신, 계기판 등 공업에서 생산하는 일부 부품을 말하는데 전기용량, 삼극관, 필라멘트, 부품 등 부품의 통칭이다.전자소자에 대한 기초지식은 전자소자를 구입함에 있어서 령활한 업무능력을 수요할뿐만아니라 전자소자의 하드웨어에 대한 장악도 더욱 수요된다.례를 들면 전자소자의 분류, 모델인식, 용도 등 전문기초지식이 있어야 기업에 더욱 좋고 더욱 전문적인 구매건의를 제공할수 있다.그럼 다음으로 전자소자에 대한 기초지식을 알아보도록 하자. 2. 전자부품의 분류 전자부품을 제조하거나 조립하는데 사용되는 기본부품을 전자부품이라고 하는데 부품들은 전자회로중의 독립적인 개체이다. 1. 구동 소자와 수동 소자 능동소자는 에너지를 공급할 때 전기 신호에 대해 충격과 확대, 진동, 전류 제어 또는 에너지 분배 등의 능동적인 기능은 물론, 데이터 연산 · 처리까지 수행할 수 있는 소자를 말한다.능동소자는 다양한 형태의 트랜지스터, 집적회로 (ic), 영상관, 모니터 등이다.수동소자 구동 소자에 비해, 전자 신호의 충격과 진동 등을 전달할 수 없고, 전자 신호의 호응은 수동적으로 순종하는 것이고, 전자 신호는 원래의 기본 특징에 따라 전자 소자를 통해 전달된다.가장 흔히 보는 저항, 용량, 전기감각 등이 바로 수동부품이다. 수동소자와 수동소자는 능동부품이다.만약 전자부품이 동작할 때 내부에 전원이 있다면 이런 부품은 능동부품이라 하는데 에네르기의 원천이 수요되므로 특정부분을 사용한다.능동부품자체도 전기에네르기를 소모하는데 공률이 큰 능동부품에는 일반적으로 방열기가 있다.수동부품과 대응되는것은 수동부품이다.전기저항, 축전기, 감응류 부품들은 회로에서 신호가 전달되면 규정된 기능을 수행하는데 외부적인 격려가 필요 없어 수동부품이라고 한다.무수자는 자기자체의 전기에네르기소모량이 매우 적거나 전기에네르기를 각이한 형태의 기타 에네르기로 전환시킨다. 2. 전자기소자 기초지식-분리부품과 집적회로 반도체산업에는 집적회로와 분리부품으로 나뉜다.분리된 소자는 집적회로와 상대하여 말하는데, 반도체 분리된 부품은 반도체 결정 이극관, 반도체 3 극관의 약칭 삼극관, 삼극관 및 반도체 특소부품으로 기능이 단일하고"최소"인 부품이다.집적회로 (ic integrated circuit)는 일부 전기회로에 필요한 트랜지스터, 용량 차단감 등 부품과 배선유지를 한데 묶어 하나의 작은 조각의 반도체 웨이퍼 또는 매질의 기판에 제작하여 전체로 포장된 전기회로의 기능을 갖춘 전자부품이다. 3. 흔히 쓰는 전자소자의 식별 1. 저항 저항 같은 전기 부품의 기본 지식저항기는 전자설비에서 가장 많이 사용되는 전자부품이다. 저항은 회로에서 r13과 같은 숫자로 표시한다. 번호가 13인 저항을 표시한다.저항의 전기회로에서 주요한 역할은 분류, 한류, 분압종속치, 필터 (축전기의 조합과 사용), 저항 정합 등이다. 수인식별:저항의 단위는 옴 (ω) 이고 배률의 단위는 천오메터 (kω), 조오메터 (mω) 등이다.환산 방법은 다음과 같다. 1 메오르 (mω)= 1,000 메오르 (kω)= 1,000ω이다.저항의 매개 변수 표기방법에는 직척법, 색척법, 수척법 등 3가지가 있다. 1.1, 수표법은 주로 패치나 기타 작은 체적의 회로에 쓰인다.103이 10,000 ω를 의미하며 (10에 세번째 자유를 첨가함.) 즉 10kω를 의미하다 1.2, 색환 표시법을 가장 많이 사용합니다, 첫 번째 색 고리가 저항치의 가장 큰 숫자를 표시하고, 두 번째 색 고리가 2번째 수를 표시하고, 세 번째 색 고리가 저항치가 반드시 몇 0이 없어야하고, 네 번째 색 고리가 저항치의 오차를 표시한다. 2, 용량 전자기자 및 부품 기초지식의 축전기.전기용량은 두 금속막이 긴밀히 붙어있고 그사이에 절연재료로 격리시켜 구성된 부품이다.전기용량은 일반적으로"c"에 숫자를 넣어 표시한다. 례를 들면 c223은 223으로 된 전기용량의 특징을 표시한다.축전기의 주요계수도 2개인데 표준용량과 허용오차라고 한다. 만약이 경우, 콘덴서에 표시된 용량, 축전기 용량의 크기를 말한다. 용량 교류 신호의 저해 작용을 용량으로 보고, 그것은 교류 신호의 주파수와 전기 용량과 관련돼.용항성 xc=1/2의 πf c (f는 교전신호의 주파수를 표시하고 c는 전기용전기용량의 수량을 표시한다.) 2.2, 식별 방법:코덴서의 식별 방법은 저항의 식별 방법과 기본적으로 같으며, 역시 직척법, 색척법, 수량법 등 세가지가 있다.전기용량의 기본단위는 팔라드 (f)로 표시한다. 다른 단위에는 털 (mf), 마이크로 (uf), 납법 (nf), pf 가 있다.그중 1 패럿 =103 밀리법 =106 마이크로법 =109 나법 =1012 피법이였다. 2.3, 바로 쓰는 법:용량이 큰 전기용량의 용량값은 전기용량에 직접 표기하는데, 예를 들면 2200 uf/10v 2.4. 숫자 표시법:일반적으로 세 자리 수로 용량 크기를 표시하고, 첫 두 자리는 유효한 숫자를 표시하며, 세 번째 숫자는 배율이다.례를 들면 102은 10×102pf= 1,000pf 임을 표시한다. 3. 전자감각 기초지식에 대한 전기 소자전자감응권선은 절연된 도선을 절연골격에 일정한 권수대로 감은것이다.직류는 권선을 통할수 있는데 직류저항은 바로 도선 자체의 저항으로서 압력이 매우 작다.교류신호가 권선을 통과할 때 권선의 두 끝에 자감각전동력이 생긴다. 자감전동력의 방향은 외부로부터 가되는 전압의 방향과 반대되므로 교류중의 통과를 저애한다.전감은 전기회로에서 전기용량과 동요회로를 구성할수 있다.감각이 흔히 전기회로에서는"l"에 숫자를 더하여 표시한다. 예를 들면"l3"은 번호가 3인 전류를 표시한다.전자감응에는 일반적으로 직척법과 색표법이 있는데 색표법은 저항과 비슷하다.전류의 기본단위는 형 (h)으로 환산단위는 1h=103mh=106uh이다. 4. 크리스털 다이오드 2 극소다이오드의 주요특성은 단일방향전도성, 즉 정면전압의 작용하에서 전파저항이 매우 작다.반대로 역전압의 작용하에 전도저항은 매우 크거나 무한히 크다.결정 2 다이오드는 라지오에서 무선전파의 검파를 진행하고 전원변환전기회로에서 교번전류를 맥동직류전류로 변환시키며 디지털회로에서 무감점 스위치역할을 하는 등 모두 그의 단일성전기전도특성을 리용하였다.크리스털 led는 그 기능에 따라 정류형 led (1n4004), 분리형 led (1n4148), 샤프트 led (bat85), 발광다이오드, 안정형 led 등으로 나뉜다. 4, 식별 방법:다이오드의 식별은 매우 간단하고 작은 출력 다이오드의 n 극 (음극) 다이오드 외모에서 대부분 십진법을 가지 색 동그라미 표시 좀 다이오드도 다이오드 전용 부호로 표시 p 극 (양극) 또는 n 극 (음극)도 사용이 표지'p'으로,'n'다이오드 극성을 확정 한다.발광다이오드의 양극 (陽極)과 음극 (陽極)은 발음의 길고 짧은 것으로 알아볼 수 있다. 4.2, 주요 매개변수:정관용 선도전류는 다이오드가 장기간 연속 동작할 때 통과될 수 있는 최대 선도전류이다.전류를 통과하면 관 속이 뜨거워지고 온도가 상승하며 온도가 허용한도 (규소관 140여도와 게르마늄관 90여경)를 초과하면 관 속이 과열되여 파손된다.가장 높은 역동작전압은 2 극관의 량쪽끝에 가해지는 역전압이 일정한 가량에 도달하면 관을 뚫어 전도능력을 잃게 된다.사용안전을 담보하기 위하여 가장 높은 역동작전압값을 규정하였다.역전류는 이극관이 규정한 온도와 가장 높은 역전압의 작용하에 이전되는 역전류를 가리킨다.전도전류가 작을수록 도관의 일방전도성능이 더 좋다.주의해야 할 점은 역전류는 온도와 밀접한 관계가 있는데 대략 온도가 10씩 높아질 때 역전류는 2배 더 커진다는 점이다.

MOS 드라이버 회로 해석

MOS 채널 채널 기능 1, 도통은 스위치 (스위치)로, 닫거나 닫거나 하는 것과 같은 뜻이다. 2. NMOS의 특성 때문에 Vgs 가 일정 수치를 넘어가면 회로를 통해 그리드를 4V 또는 10V로 이동시키는 원극지접지장치 상황 (중하단동기동)을 적용하면 된다. 3. PMOS의 특점인 Vgs 가 일정 수준 이하로 mos 치를 낮추면 바로 변환돼 Vcc 대비 소스와 극으로 연결되는 현상 (프리미엄 드라이브)을 적용받는다.그러나 PMOS은 고급mos으로 간편하면서도 전도련결저항기가 크고 가격이 비싸며 교체류형이 적은 등 원인으로 고급mos 에서는 일반적으로 NMOS을 활용한다. MOS 스위치 손실 1, 전력 소모란 정류관부터 전력 소모까지, 출력 손실 소모.NMOS 이든 PMOS 이든 기능에 전환이 끝나면 모두 도통 저항기가 있기때문이다. 이렇게 하면 전기가이 저항기에 에네르기를 소모하게 되는데 이런 에네르기를 도통 소모라고 한다.소형 MOS 저항기를 선택하면 MOS의 소모를 감소시킬수 있는데 현재 수출력이 작은 MOS 저항기는 보통 몇십밀리볼트를 넘지 않는다. 2. MOS의 기능에 필요한 MOS의 경우 꼭 한순간으로 진행되는것이 아니다.MOS의 두 변두리의 전압은 감소되는 전 과정이 있고 통과되는 전류량은 오르는 전 과정이 있는데이 기간에 MOS 관이 손상되는 전압과 전류량을 서로 곱하면 스위치 손상이라고 부른다.일반적으로 개페기의 손해가 전통과보다 크며 개페기의 주파수가 빠를수록 손해도 더 크다. 3. 도통 순간 전압과 전기 유량의 곱하기가 너무 커 피해가 크다.스위치 시간을 줄이면 매번 전통과에 따른 손실을 줄일수 있고 스위치 주파수를 줄일수 있으며 단위시간내의 스위치 주파수를 줄일수 있다.이 두가지 방법으로는 스위치 피해를 줄일 수 있습니다. 4, 소프트웨어 스위치 기술입니다,이 전원 회로는 전체 브릿지 정류 회로에 축전기와 다이오드를 추가.이극관은 관을 개페하고 투과할 때 집게의 역할을 하는 동시에 설사방전류량을 구성하여 회로를 통제하고 설사방전흐름량을 조절한다.축전기는 전지에 의해 충전되여 전압이 갑자기 높아지지 않으며 전압이 비교적 클 때 전기흐름량은 벌써 0이다.그렇게 하면 스위치를 적게 소모시킬 수 있다. MOS MOS 드라이버 1, 쌍광성 결정 3 극소자와 대비하면 일반적으로 MOS 관으로 하여금 전기를 사용하지 않고 필요한 류통량을 넘지 않도록 하는데, 만약 GS의 전압이 일정한 치를 넘으면 된다 2. MOS 관 산업에서 바로 볼 수 있다. GS, GD 사이에 기생축전기가 있는데 MOS 관에 필요한 차를 활용하면 축전기의 축전지에 충전되는 효과를 볼 수 있다.축전지의 충전은 하나의 전류량을 필요로 하는데 축전지의 충전은 한순간 축전기를 합선 고장으로 간주할수 있기에 한순간 전류량이 비교적 크다.MOS MOS 장착을 선택할 때 꼭 주의를 돌려야 할 점은 순간적으로 필요한 쇼트프로그램 대비 용량 대비 최대 치수를 선보일 수 있는 치수. 3. 고급으로 구동하는 NMOS로, 길을 통하게 할 때 반드시 그리드 전압이 원 극 전압을 초과한다.고급으로 구동하는 MOS 채널은 송전되는 권압 (Vcc)과 마찬가지로 그리드권압이 Vcc보다 4V나 10V 더 크다.동일한 시스템소프트웨어내에서 Vcc보다 큰 전압을 얻으려면 전문적인 승강전기회로가 필요하다.많은 전기장치들이 전하뽐프를 집결하였다. 필요한 외부축전기를 골라주어 충족한 단선용량에 모스 (MOS) 관을 작동시킬수 있도록 하는데 주의를 돌려야 한다. 4. 앞에서 말한 4V 또는 10V는 흔히 보는 MOS 관의 전도통전압이다. 설계방안은 반드시 일정한 용량이 있어야 한다.또한 전압이 높을수록 전도속도가 빠르며 전도전저항기도 작다.지금은 도통전압이 더 작은 MOS도 같은 업종에서 활용되지만 12V 승용차의 전자기능에 대해서는 보통 4V MOS으로 충분하다. MOS 관이 전원 회로를 운용하다. MOS 관은 스위치기능이 뛰여나 스위치, 스위치 기능이 필요한 전원회로에서 널리 쓰이는데 스위치스위치 전원회전과 전동기계동 전원회로도 조명등을 바꾸는것이다.MOS 드라이버를 위해 필요한 몇가지 더 있는데, (1) 바닥압력 운용 9V 스위치 전원을 사용할 때 이때 만약 전 정형적인 토등주 구조를 응용할 때 삼극관의 be는 0.7V의 소모밖에 되지 않았기에 구체적인 게이트에 들어가는 전압이 4.3V 밖에 되지 않았다. 이때 윤차 게이트 전압 4.9V의 MOS 관을 사용할 때 풍치가 남아있다.똑같은 난제는 3V 또는 다른 전압 스위치 전원을 사용하는 곳에서도 나타난다. (2) 광대전압 운용 입력 전압은 수치가 아니라 시간이 지나거나 다른 요인으로 변한다.이 변화로 PWM 회로가 MOS 관에 주는 구동전압은 안정적이지 않다.MOS 관은보다 높은 게이트의 전압하에서 안전성을 도모하기 위해 많은 MOS 관에 MOS 관내에 장착하여 도어 대비 전압의 크기를 강제적으로 제한하고있다.이런 상황에서 구동전압이 안정전극관의 전압을 초과하면 매우 큰 정적데터기능의 마멸을 초래하게 된다.반대로 반대로 반대로 저항분압의 기본원리가 간편하여 게이트 전압을 감소시키면 되는바 작동에서 나타나는 전압이 지나치게 높고 반대로 누르는 전압이 감소되는바람에 MOS 관이 작동하는데 필요한 전압이 떨어져 나타나는 현상을 감소시키는 바람에 기능에 손상이 생긴다. 3. 전원 모듈에서 자주 볼수 있는 곳은 전원 IC로 바로 MOS 관을 구동시키는것이다.활용시 최대전동용량, MOS 관의 기생축전기 2개 주요자수에 주의를 돌려야 한다.여기서 전원을 끄는 IC의 작동능력, MOS 기식용량 용량, 전동저항기의 저항치는 모두 MOS 관 스위치 속도에 피해를 준다.만약 MOS 관채용전기용량이 비교적 크고 전원 IC 내부의 동작능력이 모자라면 전원 회로에서 작동능력을 높여야 하며 토등주 전원회로에서 작동능력을 높여야 한다.현단계에 있어서 다양 한 mos 전원 관리 구동 회로를 전원이 일종의 구동 회로 가장 좋은 것이 없 네, 반드시 고객의 실제 운용에 근거 하여 융합 mos 관리 업체들이 제시 한 사용 매뉴얼, 전원에 대한 지속적인 회로 및 주요 파라메터을 제고 할 수 있는 문 질러 광을 계획 자체 운용하는 구동 방안는게 가장 좋다.

功率半导体器件的研究意义

功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础，是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位，它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40年来，普通晶闸管（Thyristor，SCR）、门极关断晶闸管（GTO）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）先后成为功率半导体器件的发展平台。能称为“平台”者，一般是因为它们具备以下几个特点：①长寿性，即产品生命周期长；②渗透性，即应用领域宽；③派生性，即可以派生出多个相关新器件家属。电力电子变换器的功率等级覆盖范围非常广泛，包括小功率范围（几W到几kW），如笔记本电脑、冰箱、洗衣机、空调等；中功率范围（10kW到几MW），如电气传动、新能源发电等；大功率范围（高达几GW），如高压直流（HVDC）输电系统等。电力电子变换器的应用领域越来越广泛，同时也对功率半导体器件提出了更高的性能需求。继前些年推出集成门极晶闸管（IGCT）和电子注入增强型栅极晶体管（IEGT）后，如今采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的新型功率器件已经应运而生。目前，功率半导体的发展主要是其功率承受能力和开关频率之间的矛盾，往往功率越大，耐压越高，允许的开关频率就越低。从功率半导体器件的个体来说，大功率和高频化仍是现阶段发展的两个重要方向。功率半导体器件应用需要考虑大功率电路应用的特性，如绝缘、大电流能力等，在实际应用中，以动态的“开”和“关”为运行特征，一般不运行在放大状态。由功率半导体器件构成的电力电子变换器实施的是电磁能量转换，而不是单纯的开/关状态，它的很多非理想应用特性在电力电子变换器中起着举足轻重的作用。要用好功率半导体器件，既要熟悉电力电子变换器的拓扑，更要充分掌握器件本身的特性。

详解何为IGBT

一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power MOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”，长期以来，该产品（包括芯片）还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位（简称 “02专项”）。究竟IGBT是何方神圣？让我们一起来学习它的理论吧。 1、何为IGBT？ IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。我在前面讲MOSFET和BJT的时候提到过他们的优缺点，MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 2、传统的功率MOSFET 为了等一下便于理解IGBT，我还是先讲下Power MOSFET的结构。所谓功率MOS就是要承受大功率，换言之也就是高电压、大电流。我们结合一般的低压MOSFET来讲解如何改变结构实现高压、大电流。 1)高电压：一般的MOSFET如果Drain的高电压，很容易导致器件击穿，而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B)，所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate)，而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度，而最讨厌的是到Source端，它则需要一个长长的漂移区来作为漏极串联电阻分压，使得电压都降在漂移区上就可以了。 2) 大电流：一般的MOSFET的沟道长度有Poly CD决定，而功率MOSFET的沟道是靠两次扩散的结深差来控制，所以只要process稳定就可以做的很小，而且不受光刻精度的限制。而器件的电流取决于W/L，所以如果要获得大电流，只需要提高W就可以了。所以上面的Power MOSFET也叫作LDMOS (Lateral Double diffusion MOS)。虽然这样的器件能够实现大功率要求，可是它依然有它固有的缺点，由于它的源、栅、漏三端都在表面，所以漏极与源极需要拉的很长，太浪费芯片面积。而且由于器件在表面则器件与器件之间如果要并联则复杂性增加而且需要隔离。所以后来发展了VDMOS(Vertical DMOS)，把漏极统一放到Wafer背面去了，这样漏极和源极的漂移区长度完全可以通过背面减薄来控制，而且这样的结构更利于管子之间的并联结构实现大功率化。但是在BCD的工艺中还是的利用LDMOS结构，为了与CMOS兼容。再给大家讲一下VDMOS的发展及演变吧，最早的VDMOS就是直接把LDMOS的Drain放到了背面通过背面减薄、Implant、金属蒸发制作出来的，他就是传说中的Planar VDMOS，它和传统的LDMOS比挑战在于背面工艺。但是它的好处是正面的工艺与传统CMOS工艺兼容，所以它还是有生命力的。但是这种结构的缺点在于它沟道是横在表面的，面积利用率还是不够高。

低功耗MCU在家电中越来越普遍

在智能家电产品通电后，MCU就开始启动，由于MCU所消耗的电流只占整个家电产品消耗功率的很小一部分，所以通常对其工作电流大小不作要求，只要产品可以正常工作即可。一直到近几年，由于人们日益重视环保，市场上开始关注节能低碳的电子产品，对家电及电子产品的低耗能也提高了要求，因此低功耗MCU在家庭的各种电器产品上开始占据重要地位。　　低功耗MCU的需求原因　　在电子产品上需要低功耗MCU的原因大部分出自环保的考虑：一方面，地球温室效应造成的问题需要大家通过节约能源来解决；另一方面，大量的电池若没有按正常渠道回收可能会造成土地和水资源污染。具体来说，低功耗MCU的需求可以归纳为以下几种情况。　　1. 一般家电电源来自电源插头，当插头插在插座上，即使家电没有启用也会消耗一些功率，通常来说这些消耗的功率越少越好。　　2. 家电若具有时钟功能，则当插头离开插座后，时钟所需的电源需靠内部电池提供，因此电池必须能够维持较长时间。　　3. 具有遥控功能的电器需维持较低的待机电流。　　4. 使用电池供电的电器用品其电池使用寿命要越长越好。　　5. 使用太阳能电池来代替使用一般电池的电子产品。许多家电、音响、电视都会有遥控器接收电路，以方便使用该电器的各种选项及设定功能。当这些电器关闭时，并不是完全关闭电源，遥控器的接收电路还在继续工作，除非把插头拔掉，否则待机电流一直存在，这也会造成能源的浪费。若是能把此时的耗电降至，对节能省电也有不小的帮助，接收遥控器电路的MCU如果本身使用低功耗MCU就是降低此时待机电流的好方法。　　为了能够随时侦测到遥控器发射的红外线载波信号，红外线的接收电路必须永远保持工作状态，为此基本的耗电是免不了的，节能的可行方法是将MCU的系统频率降低，让MCU运行在可以接受红外线遥控器信号的工作频率，从而节省其工作时的耗电。家用电器的省电设计构思对使用电池的产品而言，在符合成本的原则下，应选择消耗功率的MCU，因为电池废弃物的处理对环境影响很大，且电池内部的重金属会污染水资源及土地。比如家庭中厨房秤、遥控器以及某些具有时钟功能的小家电都会使用到电池，若是使用低功耗MCU，则可以减少电池用量，从而减少环境污染。减少电池用量可以从降低MCU的工作电流做起，同样功能的MCU，若是选择消耗电流减少一半的，则电池使用寿命将增加一倍，这样不仅减少购买电池的费用，也减少了电池的使用量。　　太阳能电池，这可更进一部减少电池的用量，对环境保护将发挥的效果。我们常看到一些电子计算器使用太阳能来供电，如果低功耗MCU工作的电流及电压都大幅降低，则也有机会使用太阳能电池。在功耗需求较低的产品上，如温度计、湿度计、体温计、电子表、LCD显示电子钟等，使用小瓦数的太阳能电池就足够应付MCU所消耗的电流。太阳能是环保的能源，只要有太阳，产品就可以工作，不需担心电池耗尽问题，也不需更换电池，因而也不会造成环境污染。特诺半导体有限公司，定制单片机开发项目，针对小家电、生活电器、数码设备、无线设备等项目开发，都有属于自己独到的理解，如果你有其他的需要，例如功能的定制、方案的定制等单片机_MCU_微型控制器—特诺半导体特诺半导体专注于研发高抗干扰性、高可靠性的通用型和专用型的8位和32位微控制器产品（MCU），并为客户提供相关的应用开发工具和解决方案。

N沟MOS晶体管与工作原理

N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。 N沟道增强型MOS管的工作原理（1）vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。（2）导电沟道的形成：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

电子元器件损坏原因及查找方法

电气设备的故障多由元器件坏损而致,其他原因引起电子产品的故障也常常造成电子元器件的损坏，导致机器设备不可以工作中。因此，要想辨别电子元器件的优劣，那把握元器件损坏的原因、特性及主要表现,对搜索故障点和恢复机器设备是十分关键的。下边就为大伙儿详细介绍几类常见电子元器件损坏原因及查找方法。一、电阻损坏的特点电阻是电器设备中数量最多的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点：一是低阻值（100Ω以下）和高阻值（100kΩ以上）的损坏率较高，中间阻值（如几百欧到几十千欧）的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。二、电解电容损坏的特点电解电容在电器设备中的用量很大，故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现： 1、是完全失去容量或容量变小； 2、是轻微或严重漏电； 3、是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有：（1）看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用；有的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续使用；（2）摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换；（3）电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变干，导致电容量减小，所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。三、集成电路损坏的特点集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。