MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

MOS 관과 IGBT 관은 현대전자설비의 사용빈도가 비교적 높은 신형전자부품으로 전자회로에서 자주 만나다.그러나 MOS 관과 IGBT 관은 외부 및 정적인 계수가 너무 비슷해 외부 대비, 판단, 사용에 막차가 생기기 쉽다.MOS 관과 IGBT의 확실한 인식 방법은 장단점을 대비, 판단, 활용하는데 필요한 모스 스탭이다. mos 관리 MOS 관은 즉 MOSFET, 중문명 금속산화물 반도체절연장효과관이다.저항 높고 스위치 속도가 빠르며 열 안정성 전압 제어 전류 등이 특징이다.  igbt 관리 IGBT는 울타리를 친 쌍극형장질트랜지스터로서 MOS 관과 결정 3 극소자의 조합이다. MOS는 수입관으로하고 트랜지스터는 수출관으로 한다.하여 삼극관의 공률이 매우 크므로이 두가지 조건을 결합하면 바로 MOS 관의 장점을 얻을수 있고 또 트랜지스터 삼극관의 장점을 얻을수 있다. 요약하면이 두 가지 트랜지스터, 현재 전자 설비 사용 빈도 가 높은 전자부품, 양자는 외형 및 고정 계수 닮 일부 전자 제품은 기술 독점이 존재 한다. 회로에서 때로는 그들의 모델은 삭제 되, 지금까지 그들은 딴 표준 및 모델 통 통일 기준도 없고 발 외형 및 관리의 배열이 비슷하다. 근본적으로 불규칙하는 수리 과정에서 걸림돌이 되는 어떻게 구분과 판단에 따라 필요 한 수단으로 되였다. MOS와 IGBT의 MOS 경계를 이미가쇠 된 NPN 형 IGBT 관과 N 채널 강화형 맘관의 식별 가쇠 된 NPN 형 IGBT 관은 N 도관의 강화형 맘관이 관 (부모)으로 되는 극과 같다. IGBT 관의 C 극과 모ds 관의 D 극 위치가 대응된다. 정지상태에서 MOS 관과 IGBT 관의 좋고 나쁨을 판단하다. 먼저 두 도관의 대합선을 없애고 정전기 대비 (모스) 관의 D 극과 S 극 사이의 PN 접속을 하는데 이때 정자도관이 반대pn 접합으로 되는데 이때 Rgd = Rgs = Rds = 무한대, Rsd = 몇천로그램이 있다.IGBT의 G 극에서 c, e 극의 저항은 무한대로, 즉 Rgc는 Rge = Rge = 무한대로, IGBT 관 사이에 감쇠 다이오드기가 있어 Rce = 만큼의 전기가 반대쪽으로 흐르는 특성, 즉 Rce = 수천 루그린다.때문에 만능도표의 저항기변만으로 관의 좋고나쁨을 판단할수 있지만 그런 도관인지 아닌지를 구분할수 없다.저항치를 측정하면 도관이 뚫려나갔음을 의미하고 저항치를 측정하면 도관내부가 단절되였음을 의미한다. 동태적계단은 MOS 관과 IGBT 관을 구분 관 울타리에 압력을 가하면서 장소효과관으로 도랑을 친 다음 D, S와 c, e 사이의 내비를 계수하고 내치의 차이에 따라 MOS 관과 IGBT 관을 구분한다. 만극표의 저항차로 두 도관의 D, S 및 c, e 사이의 저항을 측정한다. 장력응계로 이미 도관을 만들었는데 Rds = Rds ≈0, Rce 간에는 저항 Rce의 지도가 있으며 트랜지스터 3 극관의 확대상태의 전도저항의 경우 Rec는 내부의 감쇠 다이오드의 전도저항의 수천옴이다.이에 따라 두 개의 수도관에서 나타나는 MOS의 전도성 차는 같고 D와 S의 MOS 저항치는 IGBT와 c, e의 저항치보다 떨어져 MOS과 IGBT를 가릴 수 있다.

1. 전자부품 기초지식 전자소자는 전자소자와 중소형 설비, 기기 설비의 구성부분으로 그 자체가 흔히 여러 개의 부품으로 구성되며 동종 사용할수 있다.유는 가전제품, 무선통신, 계기판 등 공업에서 생산하는 일부 부품을 말하는데 전기용량, 삼극관, 필라멘트, 부품 등 부품의 통칭이다.전자소자에 대한 기초지식은 전자소자를 구입함에 있어서 령활한 업무능력을 수요할뿐만아니라 전자소자의 하드웨어에 대한 장악도 더욱 수요된다.례를 들면 전자소자의 분류, 모델인식, 용도 등 전문기초지식이 있어야 기업에 더욱 좋고 더욱 전문적인 구매건의를 제공할수 있다.그럼 다음으로 전자소자에 대한 기초지식을 알아보도록 하자.   2. 전자부품의 분류 전자부품을 제조하거나 조립하는데 사용되는 기본부품을 전자부품이라고 하는데 부품들은 전자회로중의 독립적인 개체이다. 1. 구동 소자와 수동 소자 능동소자는 에너지를 공급할 때 전기 신호에 대해 충격과 확대, 진동, 전류 제어 또는 에너지 분배 등의 능동적인 기능은 물론, 데이터 연산 · 처리까지 수행할 수 있는 소자를 말한다.능동소자는 다양한 형태의 트랜지스터, 집적회로 (ic), 영상관, 모니터 등이다.수동소자 구동 소자에 비해, 전자 신호의 충격과 진동 등을 전달할 수 없고, 전자 신호의 호응은 수동적으로 순종하는 것이고, 전자 신호는 원래의 기본 특징에 따라 전자 소자를 통해 전달된다.가장 흔히 보는 저항, 용량, 전기감각 등이 바로 수동부품이다. 수동소자와 수동소자는 능동부품이다.만약 전자부품이 동작할 때 내부에 전원이 있다면 이런 부품은 능동부품이라 하는데 에네르기의 원천이 수요되므로 특정부분을 사용한다.능동부품자체도 전기에네르기를 소모하는데 공률이 큰 능동부품에는 일반적으로 방열기가 있다.수동부품과 대응되는것은 수동부품이다.전기저항, 축전기, 감응류 부품들은 회로에서 신호가 전달되면 규정된 기능을 수행하는데 외부적인 격려가 필요 없어 수동부품이라고 한다.무수자는 자기자체의 전기에네르기소모량이 매우 적거나 전기에네르기를 각이한 형태의 기타 에네르기로 전환시킨다. 2. 전자기소자 기초지식-분리부품과 집적회로 반도체산업에는 집적회로와 분리부품으로 나뉜다.분리된 소자는 집적회로와 상대하여 말하는데, 반도체 분리된 부품은 반도체 결정 이극관, 반도체 3 극관의 약칭 삼극관, 삼극관 및 반도체 특소부품으로 기능이 단일하고"최소"인 부품이다.집적회로 (ic integrated circuit)는 일부 전기회로에 필요한 트랜지스터, 용량 차단감 등 부품과 배선유지를 한데 묶어 하나의 작은 조각의 반도체 웨이퍼 또는 매질의 기판에 제작하여 전체로 포장된 전기회로의 기능을 갖춘 전자부품이다. 3. 흔히 쓰는 전자소자의 식별 1. 저항 저항 같은 전기 부품의 기본 지식저항기는 전자설비에서 가장 많이 사용되는 전자부품이다. 저항은 회로에서 r13과 같은 숫자로 표시한다. 번호가 13인 저항을 표시한다.저항의 전기회로에서 주요한 역할은 분류, 한류, 분압종속치, 필터 (축전기의 조합과 사용), 저항 정합 등이다. 수인식별:저항의 단위는 옴 (ω) 이고 배률의 단위는 천오메터 (kω), 조오메터 (mω) 등이다.환산 방법은 다음과 같다. 1 메오르 (mω)= 1,000 메오르 (kω)= 1,000ω이다.저항의 매개 변수 표기방법에는 직척법, 색척법, 수척법 등 3가지가 있다. 1.1, 수표법은 주로 패치나 기타 작은 체적의 회로에 쓰인다.103이 10,000 ω를 의미하며 (10에 세번째 자유를 첨가함.) 즉 10kω를 의미하다 1.2, 색환 표시법을 가장 많이 사용합니다, 첫 번째 색 고리가 저항치의 가장 큰 숫자를 표시하고, 두 번째 색 고리가 2번째 수를 표시하고, 세 번째 색 고리가 저항치가 반드시 몇 0이 없어야하고, 네 번째 색 고리가 저항치의 오차를 표시한다. 2, 용량 전자기자 및 부품 기초지식의 축전기.전기용량은 두 금속막이 긴밀히 붙어있고 그사이에 절연재료로 격리시켜 구성된 부품이다.전기용량은 일반적으로"c"에 숫자를 넣어 표시한다. 례를 들면 c223은 223으로 된 전기용량의 특징을 표시한다.축전기의 주요계수도 2개인데 표준용량과 허용오차라고 한다. 만약이 경우, 콘덴서에 표시된 용량, 축전기 용량의 크기를 말한다. 용량 교류 신호의 저해 작용을 용량으로 보고, 그것은 교류 신호의 주파수와 전기 용량과 관련돼.용항성 xc=1/2의 πf c (f는 교전신호의 주파수를 표시하고 c는 전기용전기용량의 수량을 표시한다.) 2.2, 식별 방법:코덴서의 식별 방법은 저항의 식별 방법과 기본적으로 같으며, 역시 직척법, 색척법, 수량법 등 세가지가 있다.전기용량의 기본단위는 팔라드 (f)로 표시한다. 다른 단위에는 털 (mf), 마이크로 (uf), 납법 (nf), pf 가 있다.그중 1 패럿 =103 밀리법 =106 마이크로법 =109 나법 =1012 피법이였다. 2.3, 바로 쓰는 법:용량이 큰 전기용량의 용량값은 전기용량에 직접 표기하는데, 예를 들면 2200 uf/10v 2.4. 숫자 표시법:일반적으로 세 자리 수로 용량 크기를 표시하고, 첫 두 자리는 유효한 숫자를 표시하며, 세 번째 숫자는 배율이다.례를 들면 102은 10×102pf= 1,000pf 임을 표시한다. 3. 전자감각 기초지식에 대한 전기 소자전자감응권선은 절연된 도선을 절연골격에 일정한 권수대로 감은것이다.직류는 권선을 통할수 있는데 직류저항은 바로 도선 자체의 저항으로서 압력이 매우 작다.교류신호가 권선을 통과할 때 권선의 두 끝에 자감각전동력이 생긴다. 자감전동력의 방향은 외부로부터 가되는 전압의 방향과 반대되므로 교류중의 통과를 저애한다.전감은 전기회로에서 전기용량과 동요회로를 구성할수 있다.감각이 흔히 전기회로에서는"l"에 숫자를 더하여 표시한다. 예를 들면"l3"은 번호가 3인 전류를 표시한다.전자감응에는 일반적으로 직척법과 색표법이 있는데 색표법은 저항과 비슷하다.전류의 기본단위는 형 (h)으로 환산단위는 1h=103mh=106uh이다. 4. 크리스털 다이오드 2 극소다이오드의 주요특성은 단일방향전도성, 즉 정면전압의 작용하에서 전파저항이 매우 작다.반대로 역전압의 작용하에 전도저항은 매우 크거나 무한히 크다.결정 2 다이오드는 라지오에서 무선전파의 검파를 진행하고 전원변환전기회로에서 교번전류를 맥동직류전류로 변환시키며 디지털회로에서 무감점 스위치역할을 하는 등 모두 그의 단일성전기전도특성을 리용하였다.크리스털 led는 그 기능에 따라 정류형 led (1n4004), 분리형 led (1n4148), 샤프트 led (bat85), 발광다이오드, 안정형 led 등으로 나뉜다. 4, 식별 방법:다이오드의 식별은 매우 간단하고 작은 출력 다이오드의 n 극 (음극) 다이오드 외모에서 대부분 십진법을 가지 색 동그라미 표시 좀 다이오드도 다이오드 전용 부호로 표시 p 극 (양극) 또는 n 극 (음극)도 사용이 표지'p'으로,'n'다이오드 극성을 확정 한다.발광다이오드의 양극 (陽極)과 음극 (陽極)은 발음의 길고 짧은 것으로 알아볼 수 있다. 4.2, 주요 매개변수:정관용 선도전류는 다이오드가 장기간 연속 동작할 때 통과될 수 있는 최대 선도전류이다.전류를 통과하면 관 속이 뜨거워지고 온도가 상승하며 온도가 허용한도 (규소관 140여도와 게르마늄관 90여경)를 초과하면 관 속이 과열되여 파손된다.가장 높은 역동작전압은 2 극관의 량쪽끝에 가해지는 역전압이 일정한 가량에 도달하면 관을 뚫어 전도능력을 잃게 된다.사용안전을 담보하기 위하여 가장 높은 역동작전압값을 규정하였다.역전류는 이극관이 규정한 온도와 가장 높은 역전압의 작용하에 이전되는 역전류를 가리킨다.전도전류가 작을수록 도관의 일방전도성능이 더 좋다.주의해야 할 점은 역전류는 온도와 밀접한 관계가 있는데 대략 온도가 10씩 높아질 때 역전류는 2배 더 커진다는 점이다.

MOS 채널 채널 기능 1, 도통은 스위치 (스위치)로, 닫거나 닫거나 하는 것과 같은 뜻이다. 2. NMOS의 특성 때문에 Vgs 가 일정 수치를 넘어가면 회로를 통해 그리드를 4V 또는 10V로 이동시키는 원극지접지장치 상황 (중하단동기동)을 적용하면 된다. 3. PMOS의 특점인 Vgs 가 일정 수준 이하로 mos 치를 낮추면 바로 변환돼 Vcc 대비 소스와 극으로 연결되는 현상 (프리미엄 드라이브)을 적용받는다.그러나 PMOS은 고급mos으로 간편하면서도 전도련결저항기가 크고 가격이 비싸며 교체류형이 적은 등 원인으로 고급mos 에서는 일반적으로 NMOS을 활용한다. MOS 스위치 손실 1, 전력 소모란 정류관부터 전력 소모까지, 출력 손실 소모.NMOS 이든 PMOS 이든 기능에 전환이 끝나면 모두 도통 저항기가 있기때문이다. 이렇게 하면 전기가이 저항기에 에네르기를 소모하게 되는데 이런 에네르기를 도통 소모라고 한다.소형 MOS 저항기를 선택하면 MOS의 소모를 감소시킬수 있는데 현재 수출력이 작은 MOS 저항기는 보통 몇십밀리볼트를 넘지 않는다. 2. MOS의 기능에 필요한 MOS의 경우 꼭 한순간으로 진행되는것이 아니다.MOS의 두 변두리의 전압은 감소되는 전 과정이 있고 통과되는 전류량은 오르는 전 과정이 있는데이 기간에 MOS 관이 손상되는 전압과 전류량을 서로 곱하면 스위치 손상이라고 부른다.일반적으로 개페기의 손해가 전통과보다 크며 개페기의 주파수가 빠를수록 손해도 더 크다. 3. 도통 순간 전압과 전기 유량의 곱하기가 너무 커 피해가 크다.스위치 시간을 줄이면 매번 전통과에 따른 손실을 줄일수 있고 스위치 주파수를 줄일수 있으며 단위시간내의 스위치 주파수를 줄일수 있다.이 두가지 방법으로는 스위치 피해를 줄일 수 있습니다. 4, 소프트웨어 스위치 기술입니다,이 전원 회로는 전체 브릿지 정류 회로에 축전기와 다이오드를 추가.이극관은 관을 개페하고 투과할 때 집게의 역할을 하는 동시에 설사방전류량을 구성하여 회로를 통제하고 설사방전흐름량을 조절한다.축전기는 전지에 의해 충전되여 전압이 갑자기 높아지지 않으며 전압이 비교적 클 때 전기흐름량은 벌써 0이다.그렇게 하면 스위치를 적게 소모시킬 수 있다.   MOS MOS 드라이버 1, 쌍광성 결정 3 극소자와 대비하면 일반적으로 MOS 관으로 하여금 전기를 사용하지 않고 필요한 류통량을 넘지 않도록 하는데, 만약 GS의 전압이 일정한 치를 넘으면 된다 2. MOS 관 산업에서 바로 볼 수 있다. GS, GD 사이에 기생축전기가 있는데 MOS 관에 필요한 차를 활용하면 축전기의 축전지에 충전되는 효과를 볼 수 있다.축전지의 충전은 하나의 전류량을 필요로 하는데 축전지의 충전은 한순간 축전기를 합선 고장으로 간주할수 있기에 한순간 전류량이 비교적 크다.MOS MOS 장착을 선택할 때 꼭 주의를 돌려야 할 점은 순간적으로 필요한 쇼트프로그램 대비 용량 대비 최대 치수를 선보일 수 있는 치수. 3. 고급으로 구동하는 NMOS로, 길을 통하게 할 때 반드시 그리드 전압이 원 극 전압을 초과한다.고급으로 구동하는 MOS 채널은 송전되는 권압 (Vcc)과 마찬가지로 그리드권압이 Vcc보다 4V나 10V 더 크다.동일한 시스템소프트웨어내에서 Vcc보다 큰 전압을 얻으려면 전문적인 승강전기회로가 필요하다.많은 전기장치들이 전하뽐프를 집결하였다. 필요한 외부축전기를 골라주어 충족한 단선용량에 모스 (MOS) 관을 작동시킬수 있도록 하는데 주의를 돌려야 한다. 4. 앞에서 말한 4V 또는 10V는 흔히 보는 MOS 관의 전도통전압이다. 설계방안은 반드시 일정한 용량이 있어야 한다.또한 전압이 높을수록 전도속도가 빠르며 전도전저항기도 작다.지금은 도통전압이 더 작은 MOS도 같은 업종에서 활용되지만 12V 승용차의 전자기능에 대해서는 보통 4V MOS으로 충분하다.       MOS 관이 전원 회로를 운용하다. MOS 관은 스위치기능이 뛰여나 스위치, 스위치 기능이 필요한 전원회로에서 널리 쓰이는데 스위치스위치 전원회전과 전동기계동 전원회로도 조명등을 바꾸는것이다.MOS 드라이버를 위해 필요한 몇가지 더 있는데,   (1) 바닥압력 운용 9V 스위치 전원을 사용할 때 이때 만약 전 정형적인 토등주 구조를 응용할 때 삼극관의 be는 0.7V의 소모밖에 되지 않았기에 구체적인 게이트에 들어가는 전압이 4.3V 밖에 되지 않았다. 이때 윤차 게이트 전압 4.9V의 MOS 관을 사용할 때 풍치가 남아있다.똑같은 난제는 3V 또는 다른 전압 스위치 전원을 사용하는 곳에서도 나타난다.   (2) 광대전압 운용 입력 전압은 수치가 아니라 시간이 지나거나 다른 요인으로 변한다.이 변화로 PWM 회로가 MOS 관에 주는 구동전압은 안정적이지 않다.MOS 관은보다 높은 게이트의 전압하에서 안전성을 도모하기 위해 많은 MOS 관에 MOS 관내에 장착하여 도어 대비 전압의 크기를 강제적으로 제한하고있다.이런 상황에서 구동전압이 안정전극관의 전압을 초과하면 매우 큰 정적데터기능의 마멸을 초래하게 된다.반대로 반대로 반대로 저항분압의 기본원리가 간편하여 게이트 전압을 감소시키면 되는바 작동에서 나타나는 전압이 지나치게 높고 반대로 누르는 전압이 감소되는바람에 MOS 관이 작동하는데 필요한 전압이 떨어져 나타나는 현상을 감소시키는 바람에 기능에 손상이 생긴다.   3. 전원 모듈에서 자주 볼수 있는 곳은 전원 IC로 바로 MOS 관을 구동시키는것이다.활용시 최대전동용량, MOS 관의 기생축전기 2개 주요자수에 주의를 돌려야 한다.여기서 전원을 끄는 IC의 작동능력, MOS 기식용량 용량, 전동저항기의 저항치는 모두 MOS 관 스위치 속도에 피해를 준다.만약 MOS 관채용전기용량이 비교적 크고 전원 IC 내부의 동작능력이 모자라면 전원 회로에서 작동능력을 높여야 하며 토등주 전원회로에서 작동능력을 높여야 한다.현단계에 있어서 다양 한 mos 전원 관리 구동 회로를 전원이 일종의 구동 회로 가장 좋은 것이 없 네, 반드시 고객의 실제 운용에 근거 하여 융합 mos 관리 업체들이 제시 한 사용 매뉴얼, 전원에 대한 지속적인 회로 및 주요 파라메터을 제고 할 수 있는 문 질러 광을 계획 자체 운용하는 구동 방안는게 가장 좋다.

功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础，是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位，它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40年来，普通晶闸管（Thyristor，SCR）、门极关断晶闸管（GTO）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）先后成为功率半导体器件的发展平台。能称为“平台”者，一般是因为它们具备以下几个特点：①长寿性，即产品生命周期长；②渗透性，即应用领域宽；③派生性，即可以派生出多个相关新器件家属。 电力电子变换器的功率等级覆盖范围非常广泛，包括小功率范围（几W到几kW），如笔记本电脑、冰箱、洗衣机、空调等；中功率范围（10kW到几MW），如电气传动、新能源发电等；大功率范围（高达几GW），如高压直流（HVDC）输电系统等。     电力电子变换器的应用领域越来越广泛，同时也对功率半导体器件提出了更高的性能需求。继前些年推出集成门极晶闸管（IGCT）和电子注入增强型栅极晶体管（IEGT）后，如今采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的新型功率器件已经应运而生。目前，功率半导体的发展主要是其功率承受能力和开关频率之间的矛盾，往往功率越大，耐压越高，允许的开关频率就越低。从功率半导体器件的个体来说，大功率和高频化仍是现阶段发展的两个重要方向。 功率半导体器件应用需要考虑大功率电路应用的特性，如绝缘、大电流能力等，在实际应用中，以动态的“开”和“关”为运行特征，一般不运行在放大状态。由功率半导体器件构成的电力电子变换器实施的是电磁能量转换，而不是单纯的开/关状态，它的很多非理想应用特性在电力电子变换器中起着举足轻重的作用。要用好功率半导体器件，既要熟悉电力电子变换器的拓扑，更要充分掌握器件本身的特性。

一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目，这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的Power MOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”，长期以来，该产品（包括芯片）还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位（简称 “02专项”）。 究竟IGBT是何方神圣？让我们一起来学习它的理论吧。 1、何为IGBT？ IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧，它到底是MOSFET还是BJT？其实都不是又都是。不绕圈子了，他就是MOSFET和BJT的组合体。 我在前面讲MOSFET和BJT的时候提到过他们的优缺点，MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱 动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar  Device)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。     2、传统的功率MOSFET 为了等一下便于理解IGBT，我还是先讲下Power MOSFET的结构。所谓功率MOS就是要承受大功率，换言之也就是高电压、大电流。我们结合一般的低压MOSFET来讲解如何改变结构实现高压、大电流。     1)高电压：一般的MOSFET如果Drain的高电压，很容易导致器件击穿，而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B)，所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate)，而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度，而最讨厌的是到Source端，它则需要一个长长的漂移区来作为漏极串联电阻分压，使得电压都降在漂移区上就可以了。 2) 大电流：一般的MOSFET的沟道长度有Poly CD决定，而功率MOSFET的沟道是靠两次扩散的结深差来控制，所以只要process稳定就可以做的很小，而且不受光刻精度的限制。而器件的电流取决于W/L，所以如果要获得大电流，只需要提高W就可以了。 所以上面的Power MOSFET也叫作LDMOS (Lateral Double diffusion MOS)。虽然这样的器件能够实现大功率要求，可是它依然有它固有的缺点，由于它的源、栅、漏三端都在表面，所以漏极与源极需要拉的很长，太浪费芯片面积。而且由于器件在表面则器件与器件之间如果要并联则复杂性增加而且需要隔离。所以后来发展了VDMOS(Vertical DMOS)，把漏极统一放到Wafer背面去了，这样漏极和源极的漂移区长度完全可以通过背面减薄来控制，而且这样的结构更利于管子之间的并联结构实现大功率化。但是在BCD的工艺中还是的利用LDMOS结构，为了与CMOS兼容。 再给大家讲一下VDMOS的发展及演变吧，最早的VDMOS就是直接把LDMOS的Drain放到了背面通过背面减薄、Implant、金属蒸发制作出来的，他就是传说中的Planar VDMOS，它和传统的LDMOS比挑战在于背面工艺。但是它的好处是正面的工艺与传统CMOS工艺兼容，所以它还是有生命力的。但是这种结构的缺点在于它沟道是横在表面的，面积利用率还是不够高。

在智能家电产品通电后，MCU就开始启动，由于MCU所消耗的电流只占整个家电产品消耗功率的很小一部分，所以通常对其工作电流大小不作要求，只要产品可以正常工作即可。一直到近几年，由于人们日益重视环保，市场上开始关注节能低碳的电子产品，对家电及电子产品的低耗能也提高了要求，因此低功耗MCU在家庭的各种电器产品上开始占据重要地位。 　　低功耗MCU的需求原因 　　在电子产品上需要低功耗MCU的原因大部分出自环保的考虑：一方面，地球温室效应造成的问题需要大家通过节约能源来解决；另一方面，大量的电池若没有按正常渠道回收可能会造成土地和水资源污染。具体来说，低功耗MCU的需求可以归纳为以下几种情况。 　　1. 一般家电电源来自电源插头，当插头插在插座上，即使家电没有启用也会消耗一些功率，通常来说这些消耗的功率越少越好。 　　2. 家电若具有时钟功能，则当插头离开插座后，时钟所需的电源需靠内部电池提供，因此电池必须能够维持较长时间。 　　3. 具有遥控功能的电器需维持较低的待机电流。 　　4. 使用电池供电的电器用品其电池使用寿命要越长越好。 　　5. 使用太阳能电池来代替使用一般电池的电子产品。 许多家电、音响、电视都会有遥控器接收电路，以方便使用该电器的各种选项及设定功能。当这些电器关闭时，并不是完全关闭电源，遥控器的接收电路还在继续工作，除非把插头拔掉，否则待机电流一直存在，这也会造成能源的浪费。若是能把此时的耗电降至，对节能省电也有不小的帮助，接收遥控器电路的MCU如果本身使用低功耗MCU就是降低此时待机电流的好方法。     　　为了能够随时侦测到遥控器发射的红外线载波信号，红外线的接收电路必须永远保持工作状态，为此基本的耗电是免不了的，节能的可行方法是将MCU的系统频率降低，让MCU运行在可以接受红外线遥控器信号的工作频率，从而节省其工作时的耗电。      家用电器的省电设计构思       对使用电池的产品而言，在符合成本的原则下，应选择消耗功率的MCU，因为电池废弃物的处理对环境影响很大，且电池内部的重金属会污染水资源及土地。比如家庭中厨房秤、遥控器以及某些具有时钟功能的小家电都会使用到电池，若是使用低功耗MCU，则可以减少电池用量，从而减少环境污染。减少电池用量可以从降低MCU的工作电流做起，同样功能的MCU，若是选择消耗电流减少一半的，则电池使用寿命将增加一倍，这样不仅减少购买电池的费用，也减少了电池的使用量。 　　太阳能电池，这可更进一部减少电池的用量，对环境保护将发挥的效果。我们常看到一些电子计算器使用太阳能来供电，如果低功耗MCU工作的电流及电压都大幅降低，则也有机会使用太阳能电池。在功耗需求较低的产品上，如温度计、湿度计、体温计、电子表、LCD显示电子钟等，使用小瓦数的太阳能电池就足够应付MCU所消耗的电流。太阳能是环保的能源，只要有太阳，产品就可以工作，不需担心电池耗尽问题，也不需更换电池，因而也不会造成环境污染。 特诺半导体有限公司，定制单片机开发项目，针对小家电、生活电器、数码设备、无线设备等项目开发，都有属于自己独到的理解，如果你有其他的需要，例如功能的定制、方案的定制等 单片机_MCU_微型控制器—特诺半导体   特诺半导体专注于研发高抗干扰性、高可靠性的通用型和专用型的8位和32位微控制器产品（MCU），并为客户提供相关的应用开发工具和解决方案。

N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。  由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。     NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。 N沟道增强型MOS管的工作原理（1）vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况若vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。（2）导电沟道的形成：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

电气设备的故障多由元器件坏损而致,其他原因引起电子产品的故障也常常造成 电子元器件的损坏，导致机器设备不可以工作中。因此，要想辨别电子元器件的优劣，那把握元器件损坏的原因、特性及主要表现,对搜索故障点和恢复机器设备是十分关键的。下边就为大伙儿详细介绍几类常见电子元器件损坏原因及查找方法。       一、电阻损坏的特点 电阻是电器设备中数量最多的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广，其损坏的特点：一是低阻值（100Ω以下）和高阻值（100kΩ以上）的损坏率较高，中间阻值（如几百欧到几十千欧）的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时可能会断裂，否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所侧重，快速找出损坏的电阻。 二、电解电容损坏的特点 电解电容在电器设备中的用量很大，故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现： 1、是完全失去容量或容量变小； 2、是轻微或严重漏电； 3、是失去容量或容量变小兼有漏电。 查找损坏的电解电容方法有： （1）看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用；有的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续使用； （2）摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必须更换； （3）电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变干，导致电容量减小，所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容，离其越近，损坏的可能性就越大。 三、集成电路损坏的特点 集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。