MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

特诺   TNPF12N65    封装TO-220F

硅N沟道增强

VDMOSFETs是通过自对准平面技术获得的

降低了导通损耗，改善了开关性能

性能和增强雪崩能量。晶体管

可用于系统的各种电源开关电路

小型化和高效率。包装形式是

TO-220F，符合RoHS标准。

特点：快速切换

l低导通电阻（Rdson≤0.8Ω）l低栅极电荷（典型数据：40nC)

低反向转移电容(典型值：9.5pF)

 100%单脉冲雪崩能量测试

应用：电源开关电路的适配器和充电器。