12 月 24 日讯 在新能源汽车缺少芯片的背景下，国内相关企业也开启扩大功率器件产能之路。近日比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的 IGBT 已经走到 5 代，碳化硅 mosfet 已经走到 3 代，第 4 代正在开发当中。目前在规划自建产线，预计到明年有自己的产线。

目前，比亚迪拥有包含芯片设计、晶圆制造、封装测试和下游应用在内的一体化经营全产业链。比亚迪表示，经过十余年的研发积累和于新能源汽车领域的规模化应用，比亚迪半导体已成为国内自主可控的车规级 IGBT 领导厂商。此外，比亚迪半导体也拥有多年的研发积累、充足的技术储备和丰富的产品类型，与来自汽车、消费和工业领域的客户建立了长期紧密的业务联系。

比亚迪半导体表示，将以车规级半导体为核心，同步推动工业、消费等领域的半导体发展，致力于成长为高效、智能、集成的新型半导体供应商。

事实上，除了比亚迪自建 SiC 产线外，国内其他的功率器件厂商也在加码布局 SiC 领域。

产业链以欧美日为主，国产替代空间较大。SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是衬底、外延、器件与模组三大环节。目前全球 SiC 产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势，其中美国衬底全球独大。而比亚迪半导体的突破，恰恰打开了国产工控和汽车级 MCU 芯片的大门。

近日，斯达半导发布关于投资建设全碳化硅功率模组产业化项目的公告称，公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资 22,947 万元，投资建设年产 8 万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，项目将按照市场需求逐步投入。