MOS 관 mos플라이_ 넌 넌 트랜지스터 공장

시그널 트랜지스터

필드효과 트랜지스터 (Field Effect 트랜지스터 략칭 (FET)을 전자기마력이라고 략칭하였다.주로 다음과 같은 두가지 류형 (융합 fet-jfet)과 금속산화물반도체입력반응관 (메탈-산화반도체 FET, MOS-fet)이 있다.

제품 서비스

Tpench MOSFET
현하로 MOS는 더 낮은 전하 (電荷) 저항과 울타리의 루전하로 인한 밀도가 있기에 더 적은 전하 (유도)와 스위치 소모 및 더 빠른 스위치 속도가 있다.참호모스 도랑도는 수직적이기때문에 도랑의 밀도를 더 높이고 칩의 치수를 줄여 전도회저항을 낮출수 있다.
Planar MOSFET
규소 N 채널은 평면을 자동적으로 합한 기술을 통해 얻은 VDMOSFET을 증강하는데 이는 도관 소모를 줄이고 스위치기능을 높여 설사에네르기를 증강시킨다.이 트랜지스터는 여러가지 공률의 스위치회로에 사용할수 있으며 시스템의 소형화와 더욱 높은 효률에 쓰인다.
Superjunction MOSFET
평면도형과 도랑구조의 공률 MOSFET를 비교하면 초접형구조는 사실 평면도형과 도랑형의 특성을 복합한 것으로 평면도형에서 저저항전류의 길을 트는 도랑형의 절벽에 평면도형의 고저항성과 도랑형의 저항성이 있음을 알 수 있다.

제품 파워

낮FOM（Rdson*Qg）
우리는 설계사들에게 낮은 그리드 소모를 제공하는 일련의 상품 (제품명 뒤에 C를 가리켜 표시한다.)은 그리드그리드 전하 (Qg)를 효과적으로 낮히며, 특히 그리드그리드 그리드사이의 전하 (Qgd)를 하여 빠른 스위치 중에 국력의 소모를 감소시킨다
높은 눈사태 내성, 100% EAS 테스트
서버리스 서비스 모델 제공.대면화의 간단한 포치배치를 통해 일지 데이터의 수집과 분석을 실현할수 있다.전체 배송 서비스를 제공하는 전문 팀을 제공합니다.
정전기저항능력 (ESD)
고믿음직한 일지수집메커니즘을 제공하여 데터전송의 안전을 담보한다.고사용가능한 분산형구조로 데타를 중복하여 백업, 저장한다.
정전기저항능력 (ESD)
필요에 따라 배치하는 사용 방식을 제공하고, 필요에 따라 비용을 계산하며, 탄력성 있게 확장하여, 높은 효율로 임무를 수행함과 동시에 비교적 적은 인력과 비용 비용을 효과적으로 얻을 수 있습니다
RoHS 기준에 부합하다
제품이 RoHS 표준에 부합하다.
低反向恢复电荷（Qrr）/恢复峰值电流（Irm）
저역전기 회복 (Qrr)/최대 전기 회복 (Irm).

MOSFET 영역

종료 영역
장비가 꺼진 상태에서 전류가 흐르지 않는 구역이다.이 장비는 전기 스위치로도, 전기 스위치로도 사용된다.
포화 구역
이 구간의 경우 부품의 루극으로부터 원극까지의 전류치는 일정하게 유지되는데 루극으로부터 원극 두 끝까지의 전압이 높아지는것은 고려하지 않아도 된다.누전된 극으로부터 떨어진 극자 사이의 전압이 단절전압치를 초과하면 한번밖에 발생하지 않는다.이 경우이 설비는 닫힌 스위치를 위해 사용된다. 새는 극점을 흘러내리면서 극점을 흐르는 전류가 포화상태에 이른다.따라서 장비가 바뀌어야 할 때 포화지역을 선택하세요.
선형/옴영역
이 구역은 루지로부터 원과 극 두 끝까지의 전류가 루지로부터 원과 극 두 끝까지의 전압이 증가함에 따라 증강되는 구역이다.이 선형의 영역 내에서 MOSFET 부품이 작용할 때 그것들은 증폭기의 기능을 수행한다.

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