MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

고 주파 가열로는 IGBT 주요한 부품을 사용하고 있다. IGBT는 전압형 제어, 입력 저항 크고 구동 공률이 작고 제어 회로가 간단하며 스위치 소모가 적고 송전 속도가 빠르며 동작빈도가 높고 부품의 용량이 크다.이런 기술은 비정관으로는 도달할 수 없는 주파수 (60kHz 이상)에 이르렀을 뿐만 아니라 점점 빠른 속도로 정관계를 대체하고 있다.외국 1kHz~80kHz의 감응 가열을 이용한 IGBT는 광범위한 응용이 돼 있다. 이는 감지 가열 전원의 발전 방향이다.

역변과 정류은 서로 반대되는 개념이다. 정류이란 교번전류를 직류전류로 변화시키는 과정이고 역변전류를 직류전류로 변화시키는 과정으로서 역변용기술을 채용한 아크로용접전원을 역변용접기라고 한다.역변성과정에 공률이 큰 전자개페기를 수요하는데 절연표 쌍극지트랜지스터 IGBT를 개페치기로 하는 역변용접기가 IGBT 역변용접기로 된다.

IGBT는 BJT와 MOS의 장점을 종합하여 출력이 적고 포화압이 낮다.600V 이상의 직류전압 변류 시스템으로 의사소통 전기, 컨버터, 스위치 전원, 조명 회로, 터인 전동 등에 사용할 수 있습니다.IGBT의 구동방법은 MOSFET와 거의 같고 정극 N-도인 MOSFET의 입력만 제어하면 되므로 높은 입력 저항성이 있다.