MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

特诺   TNPF20N65   封装TO-220F

硅N沟道增强

VDMOSFET，是通过自对准平面技术获得的

降低了传导损耗，改善了开关性能

性能和增强雪崩能量。晶体管

可用于系统的各种电源开关电路

小型化、高效率。包装形式是

TO-220F，符合RoHS标准。

特点：l快速切换

低导通电阻（Rdson≤0.50Ω）低栅电荷（典型数据：58nC)

低反向传输电容(典型值：20pF)

100%单脉冲雪崩能量试验

无卤素

用途：电源开关电路的适配器和充电器。

特诺半导体有限公司致力于碳化硅技术的发展，主营品牌：MOSFET、IGBT单管/模块、Diode、单片机MCU、集成电路IC、场效应管、MOS管、IC芯片、BJT产品、二极管、SGTMOS，各种集成电路定制化解决方案。特诺半导体针对多个应用领域推出600V/1200V/1350V、15A/25A/45A/60A等多个系列的绝缘栅双极型晶体管IGBT产品，产品根据不用应用频率尔设计。

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