MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

MOS 관과 IGBT 관은 현대전자설비의 사용빈도가 비교적 높은 신형전자부품으로 전자회로에서 자주 만나다.그러나 MOS 관과 IGBT 관은 외부 및 정적인 계수가 너무 비슷해 외부 대비, 판단, 사용에 막차가 생기기 쉽다.MOS 관과 IGBT의 확실한 인식 방법은 장단점을 대비, 판단, 활용하는데 필요한 모스 스탭이다.

mos 관리

MOS 관은 즉 MOSFET, 중문명 금속산화물 반도체절연장효과관이다.저항 높고 스위치 속도가 빠르며 열 안정성 전압 제어 전류 등이 특징이다.
 

igbt 관리

IGBT는 울타리를 친 쌍극형장질트랜지스터로서 MOS 관과 결정 3 극소자의 조합이다. MOS는 수입관으로하고 트랜지스터는 수출관으로 한다.하여 삼극관의 공률이 매우 크므로이 두가지 조건을 결합하면 바로 MOS 관의 장점을 얻을수 있고 또 트랜지스터 삼극관의 장점을 얻을수 있다.

요약하면이 두 가지 트랜지스터, 현재 전자 설비 사용 빈도 가 높은 전자부품, 양자는 외형 및 고정 계수 닮 일부 전자 제품은 기술 독점이 존재 한다. 회로에서 때로는 그들의 모델은 삭제 되, 지금까지 그들은 딴 표준 및 모델 통 통일 기준도 없고 발 외형 및 관리의 배열이 비슷하다. 근본적으로 불규칙하는 수리 과정에서 걸림돌이 되는 어떻게 구분과 판단에 따라 필요 한 수단으로 되였다.

MOS와 IGBT의 MOS 경계를

이미가쇠 된 NPN 형 IGBT 관과 N 채널 강화형 맘관의 식별

가쇠 된 NPN 형 IGBT 관은 N 도관의 강화형 맘관이 관 (부모)으로 되는 극과 같다. IGBT 관의 C 극과 모ds 관의 D 극 위치가 대응된다.

정지상태에서 MOS 관과 IGBT 관의 좋고 나쁨을 판단하다.

먼저 두 도관의 대합선을 없애고 정전기 대비 (모스) 관의 D 극과 S 극 사이의 PN 접속을 하는데 이때 정자도관이 반대pn 접합으로 되는데 이때 Rgd = Rgs = Rds = 무한대, Rsd = 몇천로그램이 있다.IGBT의 G 극에서 c, e 극의 저항은 무한대로, 즉 Rgc는 Rge = Rge = 무한대로, IGBT 관 사이에 감쇠 다이오드기가 있어 Rce = 만큼의 전기가 반대쪽으로 흐르는 특성, 즉 Rce = 수천 루그린다.때문에 만능도표의 저항기변만으로 관의 좋고나쁨을 판단할수 있지만 그런 도관인지 아닌지를 구분할수 없다.저항치를 측정하면 도관이 뚫려나갔음을 의미하고 저항치를 측정하면 도관내부가 단절되였음을 의미한다.

동태적계단은 MOS 관과 IGBT 관을 구분

관 울타리에 압력을 가하면서 장소효과관으로 도랑을 친 다음 D, S와 c, e 사이의 내비를 계수하고 내치의 차이에 따라 MOS 관과 IGBT 관을 구분한다.

만극표의 저항차로 두 도관의 D, S 및 c, e 사이의 저항을 측정한다. 장력응계로 이미 도관을 만들었는데 Rds = Rds ≈0, Rce 간에는 저항 Rce의 지도가 있으며 트랜지스터 3 극관의 확대상태의 전도저항의 경우 Rec는 내부의 감쇠 다이오드의 전도저항의 수천옴이다.이에 따라 두 개의 수도관에서 나타나는 MOS의 전도성 차는 같고 D와 S의 MOS 저항치는 IGBT와 c, e의 저항치보다 떨어져 MOS과 IGBT를 가릴 수 있다.