MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

在特高压直流输电技术需求的驱动下，我国以晶闸管为代表的半控型器件技术已经成熟，水平居世界前列，6英寸的晶闸管已广泛用于高压直流输电系统，并打入国际市场，形成了国际竞争力。

硅基IGBT器件

国际上，2500V以上大功率IGBT主要供货商有英飞凌、ABB、三菱和东芝。ABB致力于器件开发、装置研制及工程应用，焊接型IGBT已有6500V/750A、3300V/1500A和1700V/3600A系列;压接型IGBT已有4500V/2000A、4500V/3000A系列，4500V/2000A已有工程应用，4500V/3000A仍处于试用与推广阶段。东芝的压接型IGBT采用圆形陶瓷管壳封装，主要有4500V/1500A和4500V/2100A系列，4500V/1500A在南澳柔性直流工程有应用。

国内，研究机构与国内的芯片代工厂合作开发出3300V~6500V系列IGBT和FRD芯片。有一两家企业已独立开发出3300V/1200A，3300V/1500A，4500V/1200A系列焊接型IGBT产品并已得到不同程度的批量应用，目前正开发3300~4500V/2000~3000A压接型IGBT。

总体来看，以ABB为代表的国际大公司在高压大功率IGBT方面一直处于引领者的地位，其器件技术水平比国内要领先一代左右，在市场占有方面处于垄断地位。而国内功率半导体研发制造企业只在一些单项技术方面取得了突破，尚未实现全产业链的整体突破，尚不具备与国外大公司相抗衡的能力。

SiC器件

与传统硅器件相比，SiC器件有着更加优良的综合性能，如高电压、高结温等。20世纪90年代，美国、日本和德国就开始对SiC材料和功率器件相关技术进行研究，各种SiC功率器件相继问世。在SiC材料方面，SiC材料微孔问题已得到解决，SiC衬底材料已由4英寸逐渐过渡到6英寸。在SiC器件方面，国外SiC中低压器件已实现产品化，高压器件还处于样品研发与试用阶段。CREE和ROHM已推出1.2kV/300A全SiC模块产品，三菱公司研发出1.7kV/1200A混合模块和3.3kV/1500A全SiC功率模块样品。在SiC器件高压应用方面，CREE、POWEREX和GE联合研制一台基于SiC-MOSFET的容量为1MVA、开关频率达20kHz的单相电力电子变压器。

国内在SiC材料方面，已研制出6英寸SiC衬底样品;外延方面，4~6英寸外延材料已初步形成产品;SiC器件方面，已研制出1.2kV/200A半桥结构的全SiC功率模块，3.3kV/600A混合模块样品;SiC器件高压应用方面，已研制出基于SiCMOSFET的200kVA换流器样机。

在SiC器件领域，国外大公司仍是行业主导，在中低压中小功率SiC器件方面已形成完整产业链，出货量呈倍增态势，正在步入成熟期。国内现阶段基本以研究为主，集中于SiC技术链条中的个别点上进行攻关，总体看综合实力不强，在材料和外延方面尚存在短板，与国际先进水平还有一定差距。