MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

 

功率MOSFET是电力控制中必不可缺的专精于高频领域的功率器件。功率MOSFET是市场占比最高的功率器件，由于自身电压驱动、全控式、单极型的特点主要适用于对功率器件工作频率需求较高的领域。

 

宽禁带半导体材料迭代引领功率MOSFET性能演进。功率MOSFET主要通过制程缩小、技术变化、工艺进步与材料迭代这四种方式不断提高自身的性能以满足世界电气化程度不断加深带来的电力需求。其中，宽禁带半导体材料的迭代引领着功率MOSFET向着更高的性能迈进。

 

受益于世界的电动化、信息化以及对用电终端性能的更高追求，预计2022年功率MOSFET全球市场规模可达亿85美元，未来五年复合年化增长率为4.87%，而国内市场由于“进口替代”格局以及中低端MOSFET的产能转移趋势，未来五年预计年化复合增长率超过10%。

 

 

 

可以发现，功率MOSFET的电压驱动、全控式和单极型特性决定了其在功率器件中的独特定位：工作频率相对最快、开关损耗相对最小，但导通与关断功耗相对较高、电压与功率承载能力相对较弱。

 

因此功率MOSFET会在两个领域中作为主流的功率器件：1.要求的工作频率高于其他功率器件所能实现的最高频率的领域，目前这个最高频率大概是70kHz，在这个领域中功率MOSFET成为了唯一的选择，代表性下游应用包括变频器、音频设备等。2.要求工作频率在10kHz到70kHz之间，同时要求输出功率小于5kW的领域，在这个领域的绝大多数情况下，尽管IGBT与功率MOSFET都能实现相应的功能，但功率MOSFET往往凭借更低的开关损耗（高频条件下开关损耗的功耗占比更大）、更小的体积以及相对较低的成本成为优先选择，代表性的下游应用包括液晶电视板卡、电磁炉等。