MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

网站已过期,请联系平台客服。

联系电话:028-67877888

技术支持: 竹子建站

干货篇——SiC会取代IGBT吗?
2020-12-23 10:18:06

SiC会取代IGBT吗?

我们知道,车配功率模块(当今的流行是IGBT)决策了车用电量驱动器系统软件的重要性能,另外占电动机逆变电源成本费的40%之上,是关键部件。

现阶段,IGBT约占直流伺服电机成本费的三分之一,而直流伺服电机约占整车成本费的15~20%,换句话说,IGBT占整车成本费的5~7%。2018年,我国新能源汽车销售量按125万台测算得话,均值每辆大概耗费450美元的IGBT,全部车共需耗费约5.六亿美金的IGBT。但SiC的出現,让专业人士把握住了新的机遇。

 

 

乃至有商家觉得,将来,SiC可能完全取代IGBT。

那麼,市场怎么会这般亲睐SiC呢?

小编梳理一部分商家的观点,汇总了下列三点:

1、SiC器件的工作中结温在200℃之上,输出功率在100kHz之上,抗压达到20kV,这种性能都好于传统式硅器件;

2、SiC器件容积可减少到IGBT整个机械的1/3-1/5,净重可减少到40-60%;

​3、SiC器件还能够提高系统软件的高效率,进一步提高性价比高和可信性。

在电瓶车的不一样工作状况下,SiC器件与IGBT的性能比照状况如下图所显示,不一样工作状况下,SiC的功能损耗减少了60-80%,高效率提高了1-3%,SiC的优点可见一斑。总体看来,SiC要想取代IGBT,还必须处理合格率、成本费及可信性等各个方面难点。也就是说,假如SiC的性价比高不如IGBT,那麼要想取代它的,概率不大。

自然,SiC的未来前景還是能够希望的,终究它的总体性能远超IGBT过多,假如规模性用以新能源汽车后,可能巨大水平提高其电池充电高效率、里程数及缓解整车净重(最显著的事例就是特斯拉汽车Model3)。对于取代IGBT只不过时间问题,现阶段的市场情况是,SiC会慢慢取代IGBT在新能源汽车行业的一部分市场,这类发展趋势还会继续伴随着SiC产业化批量生产慢慢增加。

 

 

整体而言,因为制造成本与生产能力等要素,前期SiC输出功率元器件在新能源汽车市场的占有率不高。但伴随着技术性的持续提高,预计2023年前后左右市场会出现明显发展,对IDM大型厂来讲,不断扩展产品系列多样化运用、减少制造成本并提高生产能力,将是扩展市场的关键。

在新能源汽车强悍要求的促进下,提早合理布局SiC已变成必然趋势。中国公司需根据科技创新提升技术要求,把握独立的关键技术,在完成国内生产制造的的基本上,依靠发展趋势新能源汽车的车风将国内SiC引向全球。

绝缘栅双极型晶体管_IGBT_特诺半导体_IGBT单管_IGBT模块—特诺半导体                   官网:https://www.tnsemi.com/

特诺半导体针对多个应用领域推出600V/1200V/1350V、15A/25A/45A/60A等多个系列的绝缘栅双极型晶体管IGBT产品,产品根据不用应用频率尔设计。

该网站由竹子建站创建
该网站由竹子建站创建 立即创建