MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

日前，专注于第三代半导体碳化硅功率器件的深圳基本半导体有限公司完成C1轮融资，由现有股东博世创投、力合金控，以及新股东松禾资本、佳银基金、中美绿色基金、厚土资本等机构联合投资。本轮融资将继续用于加速碳化硅功率器件的研发和产业化进程。

当前，第三代半导体正处于快速发展的黄金赛道。基本半导体公司经过多年深耕，掌握了国际领先的碳化硅核心技术，研发领域覆盖碳化硅的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级的碳化硅肖特基二极管及MOSFET、车规级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片及模块等系列产品，性能达到国际先进水平。基本半导体已经与新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等行业众多标杆客户展开了深度合作，市场份额快速提升。

9月18日，记者从基本半导体公司获悉，针对即将迎来爆发的新能源汽车高压电控系统，该公司已提前进行布局，推出了多款车规级全碳化硅功率模块，满足不同车企、不同平台的需求，目前已在多家车企进行测试验证，预计将于2023年实现批量上车应用。

作为国内第三代半导体头部企业，基本半导体公司一直备受资本方瞩目。继去年获得闻泰科技、深圳投控资本等机构参与的B轮投资后，今年3月获得博世创投的B+轮投资，时隔6个月，博世创投再度与新老股东共同支持基本半导体完成了此次C1轮融资，用于该公司的碳化硅产业链建设。

作为新加入的投资方代表的松禾资本合伙人汪洋表示，松禾资本一直关注半导体行业的制造转型，基本半导体公司不断创新突破，推动碳化硅技术加速升级迭代，并率先布局新能源汽车产业的应用。此次通过与基本半导体公司进行战略合作，将助力解决芯片紧缺的问题，加快碳化硅产品在新能源汽车、光伏发电等领域的广泛应用。

基本半导体公司董事长汪之涵透露，公司的产线建设正抓紧进行。其中，南京浦口制造基地已于2020年3月开工建设，预计2021年底通线，将主要进行碳化硅外延片的工艺研发和制造。北京亦庄共建的6英寸碳化硅晶圆产线将于今年第四季度实现量产。深圳坪山第三代半导体产业基地已于2020年底开工建设，预计2023年投产，年产能将达200万只碳化硅器件。无锡新吴车规级碳化硅功率模块制造基地正在建设中，预计2021年底通线，2022年中进入量产。

“将继续提升创新能力，深耕第三代半导体领域，加快实现碳化硅功率器件在国内和国外同步进行研发与制造的双循环布局，共同为国家‘双碳’战略目标实现贡献力量。”汪之涵说。

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