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中国正全面进入半导体行业主战场
中国的独特优势在于拥有全球最完整的半导体产业链条。同时,还有众多成长性强的中小型客户,半导体创业很热。而在美国硅谷,大部分客户都是IBM这类企业,这些大企业的门槛非常高。在中国的创业企业,可以一步步从小做起。中国当前的创业环境,比其他任何国家都好。 此外,中国也出现了一批大型的电子信息公司,包括华为、联想、小米、OPPO、vivo等,这给中国 10亿美金半导体公司俱乐部的出现带来了可能。“中国半导体的路是从0到1起步,随着前几年大客户的出现,中国半导体公司也跟着一起成长。” 当前中国半导体行业已经打下了坚实的基础,下一步是继续做强。国产芯片公司正与系统公司进行合作。“这在以前是比较少见的,国内大客户以前不太理睬小芯片公司,而现在已发生了改变。” 芯片公司与系统公司联动,设备公司、材料公司赋能芯片公司,一起做大、做强的路就通了。未来,在中国市场会出现非常强劲的公司,“从0到1,从1到做大,从做大到做强”的趋势正在进行中。坚信,十年之后,中国半导体产业的景象会非常不一样。 当前,很多资金涌向半导体行业,正在加速行业发展。中国在半导体产业链上都有配套,已经全面进入半导体行业主战场,包括CPU、存储芯片、半导体设备、先进Foundry等,整个市场全面繁荣。 在这么多年的积累下,已经累积形成了行业板块。之前纳斯达克上有将近200家半导体上市公司,随着后来这些半导体公司逐渐整合,现在大约只剩下不到100家。另外,还有很多没有上市的公司。这些上市公司和未上市的公司一起形成了一个集群,而这种集群也正在中国形成。 相信在不久的将来,中国半导体企业会占据全球半导体行业的半壁江山。值得注意的是,中国半导体从业人员已突破50万,而且还在逐年增加。 “这就是大家的机会,半导体的未来在中国!大家一起加油!” 深圳市飞捷士科技有限公司有做特诺MOS型号:TNPF10N65\TNU2N65\TNU4N65\TNU9N20\TNPF7N70\TNPF10N80等等
MOSFET主要厂商(国产)
MOSFET是功率半导体的一种,在日常生活中,凡涉及发电、输电、变电、配电、用电、储电等环节的,均离不开功率半导体。功率半导体器件作为不可替代的基础性产品,广泛应用于国民经济建设的各个领域。 功率半导体主要可以分为功率器件和功率 IC。功率器件属于分立器件,可进一步分为二极管、晶体管、晶闸管等,其中二极管主要包括TVS二极管、肖特基二极管、整流二极管等,晶体管则主要包括 MOSFET、IGBT、双极性晶体管Bipolar(也叫三极管)等;功率IC属于集成电路中的模拟IC,可进一步分为AC/DC、DC/DC、电源管理IC、驱动IC等。 在这三种晶体管的市场竞争格局方面,三极管的市场相对比较分散,因其价格低,在少数价格敏感、感性负载驱动等应用中还有一定需求,但由于三极管存在功耗偏大等问题,在全球节能减排的大环境下,其市场规模总体趋于衰退,正在被MOSFET所取代。所以MOSFET和IGBT市场集中度较高。行业人士指出,MOSFET大约占据整个功率器件市场40%左右的份额。 国内MOSFET的IDM企业主要有华润微、士兰微、扬杰科技以及吉林华微,MOSFET的Fabless企业主要有新洁能、捷捷微电、富满电子、龙腾半导体、韦尔股份、东微、尚阳通、芯派、芯导科技、诺芯半导体等。 目前国内MOSFET的晶圆代工厂主要有华虹宏力、华润上华、上海先进、中芯集成、四川广义,广州粤芯等。得益于国内 FAB 厂的技术沉淀与发展,结合国内设计公司的设计优势,目前部分国产功率器件的性能基本与国际大厂相当。不少公司的部分MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列,与国际大厂的技术相当。 深圳市飞捷士科技有限公司,代理华润微电子, 在功率功率器件市场超过15年经验, 主要产品IGBT MOSFET灯等。型号:CS1N60A23H\CS14N10A4\CS13N50FA9R\CS7N65FA9R\CS100N08A8\CS5N65FA9R\CS3N150AHR等等。
“缺芯”危机持续!拜登政府下周将与半导体供应链企业举行会议
    由于Delta变异病毒在全球大面积扩散,正日益加剧生产中断和延误现象。因此,拜登政府计划下周再次与美国半导体供应链企业举行会议,以缓解这种局面。   媒体援引美国一名高级政府官员的话报道,美国商务部长雷蒙多(Gina Raimondo)和国家经济委员会主任迪斯(Brian Deese)将于9月23日在白宫主持这次会议。雷蒙多一直是拜登总统努力解决芯片短缺问题方面的负责人。   据报道,与会者名单尚未最终确定,但受邀公司将包括芯片制造商,以及采用芯片生产汽车、消费电子产品和医疗设备等产品的公司。   据这位官员透露,此次会议目标是进一步提高芯片供应链的透明度,并继续努力与盟国建立密切合作。该官员称,拜登政府打算告诉企业,美国政府需要他们的帮助,以缓解持续数月的芯片供应瓶颈.         从笔记本电脑到汽车,微处理器芯片的全球短缺持续影响着许多行业的生产,自拜登上任以来,寻找该问题的中长期解决方案一直是当务之急。        虽然美国政府一直致力于把制造业带回美国,但美国官员们也承认,还需要通过盟国的努力实现生产多元化和互补。        据悉,此次会议将是雷蒙多第三次主持此类会议。最早在今年4月,拜登与CEO们就讨论了芯片短缺和可能的补救措施。        在这次会议召开之际,美国国会还没有明确为国内半导体研究和制造提供520亿美元扶植资金的路径。该援助计划于今年6月获得了参议院批准,但此后一直在众议院被搁置。        作为此次会议一部分,美国商务部还将创建一个正式程序——通过调查从供应链公司获取信息,以提高行业透明度。雷蒙多一直致力于增加行业间的信息共享,但部分企业并不希望美国政府介入到供需问题。        目前,美国半导体行业也在推动一项独立措施——为在美投资半导体晶圆厂的公司提供税收抵免,但白宫尚未就此进行表态。        美国副总统哈里斯(Kamala Harris)不久前访问新加坡和越南时,也提到了芯片供应短缺问题。美国希望与马来西亚、越南等国保持合作,确保这些国家在疫情大爆发期间还能够维持生产运营。
致力于研发5G射频高性能芯片 力通通信获近2亿元新一轮融资
5G射频高性能芯片已完成近2亿元新一轮融资,本轮融资由正业资本领投,老股东和利资本持续加注、潇湘资本跟投。本公司的历史投资方包括雅瑞资本、马力资本、启迪汇(上海)、华旭资本等。 XX董事长表示,本轮融资一方面用于扩充研发、技术支持和市场销售团队,另一方面用于研发经费等。 XX成立于2019年,从事射频相关芯片的研发与产业化,包括:可重构射频芯片研发、射频模组及专业通信系统的研制与应用,另外致力于高端射频及数模技术人才培养等。分别在上海与武汉设立了全资子公司。 目前公司已有2款产品研发完成。产品采用SDR框架,全面符合3GPP的测试入网要求。 ​ 不仅适用于5G/4G/3G通信标准、大规模MIMO、远距离低功耗物联网标准;而且满足广播电视DTMB标准和广域的超级Wi-Fi互联网接入;覆盖智慧城市、智慧家庭、车联网的接入技术和行业特殊通信、卫星等;未来还可根据汽车电子、家电企业需求定制芯片。 作为全自主知识产权的芯片,力通通信为小基站厂家提供优秀的射频性能,更小的功耗和低成本的方案。 公司聚集了一批来自清华大学、中科院等科研院校背景的通信专家和海外的射频芯片设计专家,他们具有丰富的RFIC芯片研制经验和通信射频模组及系统研发能力,曾多次获得国内外诸多奖项及发明专利。 为实现品牌更加卓越,登顶行业巅峰的目标,公司秉承力之所至,芯意相通的初心,不断创新升级,力争产品覆盖行业各类应用,努力担当国家责任与使命,为祖国科研事业贡献力量。 特诺半导体作为功率半导体器件的创新者,自创建以来,我们一直依靠先进的技术为中国、韩国、台湾、德国、美国和印度的重要客户提供高效率和最优化的功率器件解决方案。 公司 CTO 林信南先生(北京大学教授,国家 973 A 类课题负责人、深圳市首批基础研究杰出青年、深圳市海外高层次孔雀计划人才。        中国电工技术学会节能专委会秘书长)推动公司致力于超结 MOSFET,IGBT,碳化硅技术的发展,以满足客户日益增长的需求。 林教授为客户提供最好的解决方案,成为您业务中不可或缺的伙伴。 我司卖的火热型号:TND4N65 \ TND7N65 \ TNPF10N65 \ TNPF12N65 \ TNPF16N65等等。
飞捷士| CRMICRO功率器件在不间断电源(UPS)上的应用
  不间断电源(UPS,英文全称Uninterruptible Power System),是指利用电池化学能作为后备能量,在市电断电等电网故障时,不间断地为用户设备提供(交流)电能的一种能量转换装置。其主要应用于信息产业、IT行业、交通、金融行业、航空航天工业等计算机信息系统,同时在工业动力设备行业包括电力、钢铁、有色金属、煤炭、石油化工、建筑、医药、汽车等领域也有广泛的应用。 伴随着5G通讯,数据中心,人工智能的迅速发展以及低碳经济时代的到来,使得UPS电源数字化、高频化以及优越的功率因数指标成为主要技术发展趋势。 目前变换电路频率的提高,使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少,使UPS效率、动态响应特性和控制精度等大为提高;因此适用高频应用,且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。以在线式UPS为例,PFC部分应用HV-MOS/IGBT+FRD/SiC JBS;DC-DC部分应用LV-MOS;DC-AC部分应用IGBT。 Trench FS IGBT在UPS上的应用 CRMICRO针对UPS 应用,充分考虑了更高开关频率和更高效率的要求,采用Trench FS技术,开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A  的全系列化IGBT产品,兼具短路耐受力强、低损耗的特点。 MOSFET在UPS上的应用 针对UPS中电池双向DC/DC电路应用,CRMICRO可提供电压范围30V~200V,电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品,满足12V-72V电池电压需求。 飞捷士电子事业部简介 功率器件事业部:代理华润微电子,在功率功率器件市场超过15年经验,主要产品IGBT MOSFET灯等。 物联网事业部:阿里巴巴IOT核心芯片分销合作伙伴,合作伙伴包括高盛达,伊戈尔,华阳,富联等。 集成电路事业部:立锜,美芯晟照明芯片分销,专注LED照明芯片销售13年。 MCU单片机事业部:晟汐微,国民技术,2.4,蓝牙,太阳能路灯,氛围灯,各类家电智能控制。
台积电大刀砍价供应链苦吞大单闻香设备厂仍进补
台积电为全球晶圆代工产业扩产最大户,先进制程建置烧钱速度惊人。 台积电千亿美元资本支出完全已是「一家烤肉万家香」,不仅成为前十大设备厂首要客户及营收创高主力,也带动台设备材料供应链营运持稳向上。 2021年起半导体产业大掀晶圆厂扩产潮,半导体设备业者表示,台积电扩产规模持续加大,大小订单不断释出,成为供应链营运大补丸,尽管第4季再度启动采购议价会议,至少必须接受报价减幅,但目前只有跟着台积电才能不受影响。                       台设备材料供应链营1~7月累计营收与YoY 随着先进制程持向演进,再加上全球芯片短缺危机爆发与多国大力支持晶圆制造本土化大计,2021年起半导体产业大掀晶圆厂新建与扩产潮,SEMI估计,全球半导体制造商将于2021年底前启动建置19座新的高产能晶圆厂,2022年再开工建设10座晶圆厂。 29座新厂中,有15座为晶圆代工厂,以满足通信、运算、医疗照护、在线服务及汽车等广大市场对于芯片不断增加的需求,粗估未来几年此29座晶圆厂仅设备等支出就逾1,400亿美元,全球半导体设产业扩产最大户备业者迎来巨大商机。 其中,台积电为全球晶圆代工,先进制程建置烧钱速度惊人,已揭露在台兴建与计划中的新厂包括南科5奈米、3奈米及特殊制程,竹科则有研发中心及2奈米计划,另还有2座竹南封测厂。 半导体设备业者表示,一般12寸厂建置成本高昂,进入先进制程更是投资黑洞,以台积电的美国首座5奈米新厂计划来看,月产能2万片晶圆,最大支出项目就是晶圆制造设备,包括曝光机、蚀刻与PVD设备等售价惊人。 以ASML的EUV设备估算,一台就要价1亿多美元,相关高阶设备材料大饼依旧由应材、Lam Research等国际大厂所占据,尽管如此,台厂还是能分到肉汤享用,多家台厂已赴美展开前期建置作业,包括汉唐与帆宣等入列无尘室与机电系统等相关厂务供应商名单,工程总订单金额达新台币数百亿元。 据了解,由于美国成本高出台湾甚多,因此,台积电也同意供应商拉高订单报价,不在每年例行议价范围内,属于项目项目,市场预期,汉唐与帆宣手上订单还有南科与竹科大单,至少未来3年获利有撑。 而在封测新厂规划则有万润、弘塑、均豪与钛升等多家业者迎来难得大单,第3季起对于营收贡献将逐季显著。此外,如泛铨、闳康、家登、日扬、升阳半、中砂等众多中小型业者亦是雨露均沾,此波大扩产间接相关的业者可达千百家。 半导体设备业者进一步指出,尽管台积电第4季再度启动采购议价会议,供应链至少必须接受10%以上报价减幅,但放眼望去也只有跟着台积电才能走得长远,因此年初时预知台积电砍价策略,就已多增议价空间,目前估算此波扩产潮足以让供应链营运进补3年。 另值得一提的是,除了联电、力积电也展开扩产外,中国扩产潮也未停歇,但风险高了些,不过订单毛利不差,也是台厂另一成长动能。 深圳飞捷士科技有限公司是一家专注于高性能、高品质特诺、华润华晶、立錡、美芯晟、安森美、士兰微等产品。 TNPF10N65\TNPF12N65\TNPF7N65多种型号都是热销产品。其广泛应用LED驱动电源、数字电视、汽车电子、电机调速、变频伺服器、电脑及周边产品、通讯设备等各个行业.
功率器件发展火热,华为、小米等大厂加大投入!
近段时间,功率器件的关注热度再次升级,除了斯达半导、捷捷微电等功率器件厂商正加大产能建设,华为、小米、OPPO等手机厂商也在积极投资布局,功率器件相关热门的第三代半导体材料碳化硅和氮化镓更是被写入了“十四五”规划。 近几年新能源汽车、5G基站和变频家电强势发展,给功率器件带来了新的增长机会,另外快充,特高压、城际高铁交通等对功率器件的需求也在快速增长,据Yole预测,到2025年全球功率器件市场或达225亿美元,2019到2025年复合增长率4.28%。 在新兴应用需求及政策的支持推动下,国内功率器件近年来发展也是相当迅速,据芯谋研究统计,中国企业有5价进入全球前20名,其中安世半导体更是进入前十,位居第九。 全球芯片短缺功率器件厂商积极扩大产能建设 近年来全球半导体面临短缺和涨价的局面,功率器件也不例外,新洁能、士兰微、捷捷微电等厂商之前都发布过涨价通知,同时受益于市场需求旺盛,不少厂商近几个月甚至是整个2020年都取得了相当好的业绩。 比如,捷捷微电近日发布2020年度报告显示,公司2020年实现营业收入10.11亿元,同比增长49.99%;归属于上市公司股东的净利润2.83亿元,同比增长49.45%。闻泰科技近日也表示受益于对全球消费品和汽车市场的持续渗透,公司功率半导体业务从2020年第三季度开始实现强劲增长。 为了解决供货紧张的情况,很多功率器件厂商正在加快项目建设及产能扩展。捷捷微电近日表示,其在南通总投资25亿元的高端功率半导体产业化项目正式开工,该项目分为两期,项目建成后,一期和二期都将能形成年产TrenchMOS276000片、LVSGT144000片、MVSGT180000片的生产能力。 东芝也正在扩产其电动车功率半导体产能,据外媒报道,东芝将在位于日本石川县的主力工厂引进能大量生产纯电动汽车(EV)等使用的功率半导体制造设备,将计划投资约投资约250亿日元,将石川工厂的产能提高2成。 功率器件主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上),比如在新能源汽车领域,功率器件将电力高效转化成动力可以降低电动车等的耗电量。 功率器件大致分为几种:二极管、晶闸管、MOSFET和IGBT。其中二极管和晶闸管现在较少被谈到,不过上文提到的捷捷微电,其晶闸管业务占比较高,2020年营业收入占比达到42.11%,对晶闸管的依赖程度较高。 现在业界谈到较多的功率器件是MOSFET和IGBT,其中MOSFET在功率器件中占比较大,大概在41.18%,IGBT的市场占比大概是30.10%。因为优势不一样,MOSFET和IGBT的应用领域也因此有所不同。 被写入“十四五”规划第三代半导体功率器件未来可期 虽然现在全球90%以上的芯片和器件是基于硅材料生产,但是随着5G、新能源汽车等新兴应用的出现,氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等第三代半导体材料兴起,并被写入“十四五”规划,第三代半导体功率器件也凭借独特优势逐渐获得市场青睐。 碳化硅(SiC)功率器件有SiC二极管、SiCMOSFET,SiC二极管通常是SiC肖特基二极管,主要用于在600V以上领域替代传统的快恢复二极管。SiCMOSFET可部分取代硅基IGBT,SiCMOSFET具有较高的击穿电场强度,比传统SiMOSFET更耐高压,同时拥有更高的开关频率和下降的通态电阻,开关速度比SiIGBT快,损耗比SiIGBT小,在高频、高电压领域将取代SiIGBT和SiMOSFET。 根据智研咨询数据显示,SiC功率器件在电动汽车、电源和光伏三大终端市场的应用占比合计约为67%,其中电动汽车领域占比最大,达到30%,电源和光伏领域占比依次为22%、15%。新能源汽车被认为是SiC功率器件应用的主要驱动力,被大量运用在车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器等方面。 有不少厂商在碳化硅领域取得了不错进展,泰科天润在今年1月初表示,其位于浏阳经开区(高新区)内的项目,90%的生产设备已到位,而大部分设备处于工艺调试阶段,该项目一期投资5亿元,主要投入6英寸碳化硅基电力电子芯片生产线,项目建成满产后可实现6万片/年的6英寸碳化硅功率芯片生产及销售,公司董事长陈彤称,力争春节前投产。 另外斯达半导也在积极推进,该公司本月初发布公告称,拟通过定增募资的方式,募集资金不超过35亿元,计划向高压特色工艺功率芯片和SiC(碳化硅)芯片投入20亿元,在本次总募资中占比为57%左右。斯达半导是国内IGBT龙头企业,近年来受高铁、新能源汽车等多方市场需求增长影响,公司业绩快速提升。 资本对SiC功率器件企业也青睐有加,根据近日消息,SiC功率器件研发商飞锃半导体完成新一轮融资,该公司成立于2018年6月,主营碳化硅SiC功率器件研发,主要应用于消费电子、汽车及工业领域。上文提到的泰科天润也在去年的5月宣布完成融资。 氮化镓适用于超高频功率器件领域,GaN器件最高频率超过106Hz,功率在1000W左右,开关速度是SiCMOSFET的四倍,GaN定位在高功率、高电压领域,集中在600V-3300V,中低压集中在100V-600V,主要应用于雷达、笔记本电源适配器等。 快充是氮化镓的一大发展领域,据报道,从2018开始就有不少氮化镓快充充电器陆续量产,今年1月份获得中国第一位置的OPPO,近日就与华勤联合战略投资了氮化镓(GaN)芯片厂商威兆半导体,威兆半导体成立于2012年12月,产品主要为开关电源充电器用的大功率MOSFET场效应管,此外还生产超低压降肖特基、快恢复二极管及器件模块化应用设计,致力于提高产品能效比。 小结 就如上文所言,功率器件市场未来有不错的增长空间,当前英飞凌、安森美、意法半导体等国际大厂占据较大市场,国内厂商在二极管、晶闸管及部分MOSFET上占据不错市场,在某些中高端产品方面还有很大的提升空间,不过很明显,包括新洁能、比亚迪、斯达半导、捷捷微电等在内非常多优秀的企业正在日渐成长,未来值得期待。
进口芯片涨价幅度20%起,企业该如何抉择!
据报道,芯片生产存在原材料紧缺,产能满负荷的情况。据了解,以往企业采购光刻胶的量每次都在100多公斤,近期由于原材料紧缺,企业每次只能买到很少的量(10-20公斤)。 而在价格方面,由于供应紧张,芯片以及核心原材料也随之水涨船高。今年1-2月仅江苏昆山口岸进口的集成电路就超过了100亿元,在数量基本和去年持平的情况下,进口的金额增长了20%,所以可见,芯片的价格仍然在上涨。 神达集团昆达电脑科技(昆山)采购经理以Microchip单片机为例,“比如像这个MCU,基本上在市场上供应的交期都在20-30周之间,价格现在普遍看涨,基本上涨价幅度在5%-10%左右,有一些甚至加价也很难抢到货物。” 去年开始,受5G手机芯片用量大幅提升和关键厂商大幅备货影响,芯片出现明显供不应求,而今年受汽车等行业复苏的推动,部分下游仍在持续追单,导致供不应求进一步加剧,而整体供需缺口短期很难根本性改变,预计芯片缺货或将持续一年以上。 中美贸易战加上疫情的影响,国外芯片的涨价幅度已经难以接受了,国内商家一定要找到合适的替代才能度过难关。
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飞捷士喜迎中秋,恭贺国庆|专业功率器分销商
    秋之洁爽,月之铅华,夜之思意,心有泥泞。睹洗尽繁华的冷月,寂寥怀春伤秋,中秋月之伤情,月难长明,情更难以久留,感叹嫦娥奔月的凄美,沉湎唐诗宋词的缠绵。读月中秋,洒行行青泪。   “月上柳梢头,人约黄昏后”,中秋无依之日,世道沧桑,情去节依在,人靠月圆瘦。思念的中秋,总让人倍感沉寂和清幽。   月缺月圆又一载,花开花落人不还。   人来人往度银月,相思忆痛伤孤夜。        在一年一度的中国传统节日中秋节到来之际,当然少不了作为主角的月饼,公司工会为耕耘不辍辛勤付出的员工们准备了丰厚的中秋月饼礼包,一份礼包承载着飞捷士大家庭的浓浓关爱,和大家共过团圆中秋。 寄情中秋,文化传承 飞捷士小伙伴在节日里感受到公司的殷切关怀, 也在竞技赛中感受到团队合作的凝聚力。 在这里, 祝福大家中秋快乐! 祝愿飞捷业绩长虹! 祈盼华夏民族永远繁荣昌盛!
你所想知道的小芯片
在半导体工业生产中,晶片是设计用于与别的晶片融合的光伏电池晶片。这种模貝能够以不一样的方法组成在一起,包括竖直层叠,随后将这种模貝安裝到单独基钢板层上,随后封裝。单独芯片中间的互联能够根据多种多样方法完成,包括电极连接线和应用金属材料埋孔的立即联接。     应用芯片的半导体元器件一般将其设计分为关键的子电源电路,包括仿真模拟前端开发、CPU、储存器和GPU。尽管芯片愈来愈火爆,但与应用单独半导体的规范片式设计对比,芯片依然是一个目标市场。 殊不知,现阶段晶体管的经营规模,现在在10纳米技术下列,这代表着半导体材料轧钢厂必须十分整洁,空气中的尘土要尽量少(每立方空气中最少要有10个尘土顆粒)。这是由于尘埃粒子着陆在10nm晶体管上不但会毁坏该晶体管,并且会因为尘埃粒子的尺寸而危害周边数千个晶体管(记牢,尘埃粒子比10nm晶体管大好多个量级)。中小型晶体管遭遇的第二个难题是半导体材料中的单独点缺陷很有可能造成 晶体管常见故障。因而,一个拥有 难以想象的小晶体管的芯片,其分子结构基本上不可以有一切点缺陷,由于这会造成 芯片出現常见故障的概率很高。 提升 晶体管规格较小的芯片的生产量能够根据减少芯片的总规格来完成;可是,这会造成 安裝在单独芯片上的晶体管更少。假如每一个芯片的物理学规格提升,它将容许大量的晶体管,因而更强劲的电源电路,但結果是每一个芯片的成本上升,由于大量的芯片因常见故障而被丢掉。     一个解决方法是应用小芯片,这是一个早已刚开始越来越愈来愈时兴的解决方法。小芯片,是更小的作用芯片,能够运用当代的10纳米技术下列晶体管作用,容许强劲的繁杂作用。即便如此,智能终端将好几个芯片集成化到一个独立的封裝中,最后的結果是一个功能齐全、晶体管总数高的机器设备,进而降低了不成功芯片的总数。这相反又减少了模貝的最后成本费,并使生产量利润最大化。
功率半导体器件分类
功率半导体器件分类 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类: 1.半控型器件,例如晶闸管; 2.全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),PowerMOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管); 3.不可控器件,例如电力二极管; 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类: 1.电压驱动型器件,例如IGBT、PowerMOSFET、SITH(静电感应晶闸管); 2.电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR; 根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类: 1.脉冲触发型,例如晶闸管、GTO; 2.电子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT; 按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类: 1.双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR; 2.单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管; 3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。      
特诺   TNPF20N65   封装TO-220F
特诺   TNPF20N65   封装TO-220F     硅N沟道增强 VDMOSFET,是通过自对准平面技术获得的 降低了传导损耗,改善了开关性能 性能和增强雪崩能量。晶体管 可用于系统的各种电源开关电路 小型化、高效率。包装形式是 TO-220F,符合RoHS标准。   特点:l快速切换 低导通电阻(Rdson≤0.50Ω)低栅电荷(典型数据:58nC) 低反向传输电容(典型值:20pF) 100%单脉冲雪崩能量试验 无卤素     用途:电源开关电路的适配器和充电器。   特诺半导体有限公司致力于碳化硅技术的发展,主营品牌:MOSFET、IGBT单管/模块、Diode、单片机MCU、集成电路IC、场效应管、MOS管、IC芯片、BJT产品、二极管、SGTMOS,各种集成电路定制化解决方案。特诺半导体针对多个应用领域推出600V/1200V/1350V、15A/25A/45A/60A等多个系列的绝缘栅双极型晶体管IGBT产品,产品根据不用应用频率尔设计。 特诺半导体 官网  https://www.tnsemi.com/  
特诺 TNPF12N65 封装TO-220F
特诺   TNPF12N65    封装TO-220F 硅N沟道增强 VDMOSFETs是通过自对准平面技术获得的 降低了导通损耗,改善了开关性能 性能和增强雪崩能量。晶体管 可用于系统的各种电源开关电路 小型化和高效率。包装形式是 TO-220F,符合RoHS标准。   特点:快速切换 l低导通电阻(Rdson≤0.8Ω)l低栅极电荷(典型数据:40nC) 低反向转移电容(典型值:9.5pF)  100%单脉冲雪崩能量测试 应用:电源开关电路的适配器和充电器。  
对二极管控制电路与故障分析
控制电路的一般分析方法说明 对于控制电路的分析通常要分成多种情况,例如将控制信号分成大、中、小等几种情况。就这一电路而言,控制电压Ui对二极管VD1的控制要分成下列几种情况。   (1)电路中没有录音信号时,直流控制电压Ui为0,二极管VD1截止,VD1对电路工作无影响,第一级录音放大器输出的信号可以全部加到第二级录音放大器中。   (2)当电路中的录音信号较小时,直流控制电压Ui较小,没有大于二极管VD1的导通电压,所以不足以使二极管VD1导通,此时二极管VD1对第一级录音放大器输出的信号也没有分流作用。   (3)当电路中的录音信号比较大时,直流控制电压Ui较大,使二极管VD1导通,录音信号愈大,直流控制电压Ui愈大,VD1导通程度愈深,VD1的内阻愈小。   (4)VD1导通后,VD1的内阻下降,第一级录音放大器输出的录音信号中的一部分通过电容C1和导通的二极管VD1被分流到地端,VD1导通愈深,它的内阻愈小,对第一级录音放大器输出信号的对地分流量愈大,实现自动电平控制。   (5)二极管VD1的导通程度受直流控制电压Ui控制,而直流控制电压Ui随着电路中录音信号大小的变化而变化,所以二极管VD1的内阻变化实际上受录音信号大小控制。     故障检测方法和电路故障分析 对于这一电路中的二极管故障检测最好的方法是进行代替检查,因为二极管如果性能不好也会影响到电路的控制效果。   当二极管VD1开路时,不存在控制作用,这时大信号录音时会出现声音一会儿大一会儿小的起伏状失真,在录音信号很小时录音能够正常。   当二极管VD1击穿时,也不存在控制作用,这时录音声音很小,因为录音信号被击穿的二极管VD1分流到地了。
晶体管越老,功耗却越低?
大家都知道,电子控制系统芯片中的晶体管会伴随着時间而慢慢老化。他们会渐渐地显旧,反映越来越缓慢,问题愈来愈多,乃至忽然奔溃卡死。但是一切都是有多面性,尽管晶体管老化对电子设备并不是好事儿,但其功能损耗却伴随着時间的变化而减少。        在这个节奏快、快消費的时代,大家一直在求进、急于求成。不仅是手机上、电脑上、汽车,就连大家本身,都要想时尚潮流,新朝,不过时。假如想对你说老有老的好,老旧的旧的妙,你一定不可以认可。但客观事实确是这般,大家何不看好多个事例。        大家都了解汽车有一个磨合时间,新汽车在最开始的 2000 千米里程数需要留意磨合期,便于每个构件较为畅顺地符合搭配,使汽车总体性能、使用期和安全驾驶感受达到最佳。实际上人也是一样,并不是一直年青的好,我们知道,大家年轻时代学习培训的专业知识,务必历经人生道路的历炼,必须時间的累积,才可以变为聪慧。那麼,智能机、电脑上等电子设备是不是也是有相近的趣味规律性呢?            一般顾客或许并不关注电脑上 CPU、智能机储存器和汽车主动刹车系统软件的老化难题。可是做为电子控制系统室内设计师或芯片设计方案技术工程师,我们知道这种电子控制系统芯片中的晶体管是会慢慢老化的。跟人与汽车一样,他们会渐渐地显旧,反映越来越缓慢,问题愈来愈多,乃至忽然奔溃卡死。 晶体管 BTI 转变系统对的积极主动功效        一切都是有多面性,尽管芯片中晶体管的老化对电子设备并不是好事儿,但其功能损耗却伴随着時间的变化而减少,它是美国南安普敦高校电子技术专家教授 Bashir Al-Hashimi 在一系列模拟仿真和实验后得到的结果。这名专家教授以及精英团队对晶体管的一种特点—偏压溫度多变性(Bias Temperature Instability,BTI)开展了检测,发觉 BTI 的转变对芯片和系统软件总体系统软件有正脸危害。            什么叫 BTI?简易来说,便是晶体管处在“开”情况时的一种正电荷堆积效用,在晶体管安全通道以及门绝缘层物质中间产生正电荷累积,这会更改晶体管电源开关转换情况的工作电压,伴随着時间的变化晶体管电源开关情况转换姿势会愈来愈慢。伴随着芯片生产商大量选用高 K 电解介质和铝合门原材料,这类偏压多变性愈来愈显著。        Bashir Al-Hashimi 专家教授的精英团队在模拟仿真实验中应用的是高性能 CMOS 逻辑性晶体管,BTI 老化促使这种元器件的具体功能损耗在减少。实验说明,模拟仿真 1 个月的应用,静态数据功能损耗减少大概 50%,10 年减少 78%。静态数据功能损耗是晶体管不工作中时耗费的动能,它是因为晶体管安全通道上的电流量泄露造成的。而在现如今的芯片设计方案中,晶体管绝大多数时间处在这类情况,因而由 BTI 产生的功能损耗减少是比较显著的。        在具体芯片检测中,应用 5 年之后漏电流大概减少 11%。具体的电子控制系统功能损耗减少可否做到期待的水平还不知道,但最少晶体管老化与功能损耗减少的关联理论上是说得通的。这是不是代表着智能机使用时间越长,充电电池续航力性能反倒越好呢?        如果我们由此得到那样的结果,难免过度果断。终究智能机的充电电池续航力性能和使用期在于多种多样要素,例如充电电池自身的原材料和性能、电池管理技术性、电脑操作系统、安裝的 APP 手机软件和客户应用习惯性等。顾客要求和市场需求一直驱动器着手机制造商和芯片经销商不断更新迭代,新品取代周期时间愈来愈短,在那样的自然环境下顾客和店家系统对芯片的老化效用不容易关心的。可是,大家技术工程师在设计方案芯片和智能产品商品时,却迫不得已考虑到其危害。 芯片里程数        明尼苏达高校电气专业专家教授 Chris H. Kim 早在 10 很多年前就刚开始对晶体管老化对芯片和电子控制系统的危害刚开始开展科学研究和实验。他最开始明确提出了“芯片里程数(Odometer for silicon chip)”的定义,并开发设计出一种电源电路用以精确测量很有可能危害芯片性能的晶体管老化指标值,他期待能将这类电源电路集成化进微控制器芯片设计方案中,以帮助微控制器自动识别运行性能,根据平衡几类老化指标值来让芯片自始至终处在最好性能情况。Kim 专家教授以及精英团队在芯片里程数层面的科学研究早已成效显著,半导体材料科学研究企业授于其 2016 年非凡技术奖就是半导体材料业内对其科学研究的毫无疑问。        芯片里程数能够精确测量晶体管老化的三个指标值:热载流子引入(HCI)、偏压溫度多变性(BTI)、经时介质击穿(TDDB)。BTI 上文早已表述过,HCI 就是指晶体管产生情况转换时的老化,正电荷停留在晶体管门物质上,那样元器件电源开关变换的工作电压就会更改。BTI 和 HCI 或许对芯片一切正常工作中沒有显著的危害,但 TDDB 就会造成毁灭性的难题,伴随着晶体管的老化,各种各样缺点会在门物质上沉积,堆积到一定水平就会造成短路故障,进而造成 芯片乃至全部崩溃。这就跟人一样,伴随着年纪的提升,身体机能刚开始老化,各种各样病症刚开始出現,比较严重时乃至造成癌病。        Kim 专家教授明确提出的“芯片里程数”定义以及相对的精确测量电路原理早已造成半导体业的高度重视,包含 Intel、TI 和 IBM 以内的芯片生产商早已在其芯片开发设计中考虑到晶体管老化的危害,已经采用适度的方法来赔偿由于老化造成 的芯片性能降低。或许迅速在新的芯片中,就会集成化相近“芯片里程数”的程序模块。        伴随着芯片设计方案和生产制造加工工艺的发展趋势,及其智能产品的电脑操作系统和手机软件的完善,将来的智能产品在比较有限的供电系统自然环境下依然可以不断工作中很多年,或许这要一部分得益于“芯片里程数”。在我们已不为了更好地追逐时尚潮流而经常更换手机时,大家很有可能会应用一部心爱的手机上超出 3 年,手机上的续航能力居高不下也许就不奇怪了。
MOS管拆装步骤
        一、枪温度调试,把风枪调到 320 度,风速 1 档,MOS 管属于小型玻璃管 , 容易夹裂,所以在拆的时候一定要小心 , 撬的时候用力一定轻 , 要顾及周围的元器件不能碰到 , 如果有带胶的芯片需要避开 , 吹的过程中风枪不能停留太久。   二、撬 MOS 管的时候要用锋利一点的刀片 , 把刀片放在 MOS 管下面 , 用手指往上带一点力度 , 风枪一直对着吹 , 待锡刚融化时 MOS 管会自然脱落。   三、MOS 管属于带胶芯片 , 撬下来时需要对主板进行除胶 , 除胶的时候要小心不能太大力度 , 不然会掉点 , 除胶用镊子尖去轻轻刮就好了 , 或者用斜口刀进行刮胶 , 把主板焊盘上所有的胶都清理干净 。       四、放少量焊油用烙铁把焊盘拖均匀 , 不能有明显的高低不平 , 用洗板水把焊盘清洗干净。   五、芯片除胶 , 小芯片用烙铁尖刮胶就可以了   六、MOS 拆下来也是需要植锡的 , 用纸巾把刮锡刀上面的锡膏多余的焊油吸干(尽量干一点),把植锡网洗干净(每个小孔都不能有异物),把 MOS 管铺在一块纸巾上面,用植锡网对准   往上面涂锡膏,抹均匀干净以后用无尘布来回擦一擦,把风枪调到 280°,风速全部关掉,风枪口从远到进慢慢在植锡网上移动 , 植好锡以后取下时要小心 , 用镊子在锡珠处轻轻从上往下顶 , 取下时放少量焊油 , 用风枪吹待锡珠全部归位。       七、装 MOS 管是有脚位的,在 MOS 管的背面都有一个小点,称为脚,在拆下时是需要看方向的,如果忘记了该怎么办,找一个板来对比 , 没有板在图纸或者位号图里面查找方向。   八、把焊盘放少量焊油,焊油太多会移位,把 MOS 管用镊子夹到需要焊接的主板上,方向摆好,风枪温度同样是 320 度,风速 1 档,对准 MOS 管吹焊时间在 15 秒,待锡珠融化后用镊子轻轻触碰 ,MOS 管会自动复位就说明已经焊好。
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应对缺“芯”,欧盟拟推芯片法案!
据路透社报道,欧盟委员会在当地时间15日宣布拟通过“欧洲芯片法案”(European Chips Act)建议先进的芯片制造"生态系统",以保持欧盟的竞争力和自给自足。 众所周知,半导体已经成为现代汽车不可或缺的一部分,在发动机管理、气温控制、车载娱乐和碰撞安全方面发挥着积极作用。在过去几年里,全球半导体供应链遭遇了极大的挑战——新冠疫情和国际贸易争端极大冲击了全球供应链,也暴露出各国供应链端存在的弊端。自去年起,全球汽车制造商几度因缺“芯”不得不暂时关闭工厂或减产,导致全球汽车产量快速下降。 除了汽车制造业,全球智能手机、游戏机、家电等几乎所有电子产品,都不同程度的受到了芯片短缺的影响。缺“芯”危机凸显出亚洲芯片制造在全球供应链的重要地位,也让欧盟和其他国家意识到建立本土芯片制造的必要性。 欧盟委员会主席Ursula von der Leyen在周三的欧洲议会表示:“数字化攸关成败,我们将提出一项新的欧洲芯片法案。他们的目标是共同打造包括生产在内的最先进的欧洲芯片生态系统。这将确保我们的供应安全,并为开创性的欧洲技术开发新市场。”据悉,该法案基于其他已经提出的数字倡议基础上建立的。 据了解,法案包括一个提高欧洲的芯片制造能力的集体计划,旨在支持设计、生产、包装、设备和供应商(如晶圆生产商)之间的芯片供应链监测和生产能力,目标是让欧洲具备大量生产最先进(2nm及一下)和节能半导体能力的“巨型芯片工厂”。 不过,行业专员Thierry Breton认为成为“世界芯片工厂”并非最优选。“我们的想法是不要在欧洲这里自己生产所有的东西。除了使我们的本地生产更具弹性之外,我们还需要设计一个战略,使我们的供应链多样化,以减少对单一国家或地区的过度依赖。” “争夺最先进芯片的竞赛是一场关于技术和工业领先地位的竞赛,”Breton在一篇博文中写道称,欧洲芯片法案将包括研究、产能和国际合作,欧盟应考虑设立一个专门的欧洲半导体基金。 由于半导体短缺,欧盟委员会去年宣布,计划在其7500亿欧元的“COVID-19恢复基金”中拨出五分之一来投资数字项目。 今年2月,欧盟19国推出了“芯片战略”,计划为欧洲芯片产业投资约500亿欧元(3860亿人民币),打造欧洲自己的半导体生态系统。为减少对非欧洲技术的依赖,欧盟还推出了“2030数字罗盘”计划,希望到21世纪20年代末,能生产全球20%的半导体尖端半导体。 在“2030数字罗盘”计划中,欧盟对要实现的数字能力目标进行了具体化,涵盖数字化教育于人才建设、数字基础设施、企业数字化和公共服务数字化等四个方面。这些远景达成的时间节点主要集中在2030年。 深圳市飞捷士科技有限公司MOS主要是做特诺和华晶的,特诺有这些型号:TNPF630\TNPF18N20\TNPF9N50\TNPF13N50\TNPF4N60\TNPF16N60\TNPF4N65\TNPF7N65等等。
MOS管和IGBT管的定义及辨别
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件,因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很,有时在选择、判断、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的识别方法为选择、判断、使用扫清障碍!MOS管MOS管即MOSFET,中文名金属氧化物半导体绝缘栅场效应管。其特性,输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。 IGBT管IGBT中文名绝缘栅双极型场效应晶体管,是MOS管与晶体三极管的组合,MOS是作为输入管,而晶体三极管作为输出管。于是三极管的功率做的挺大,因此两者组合后即得到了MOS管的优点又获得了晶体三极管的优点。  综上所述的两种晶体管,是目前电子设备使用频率很高的电子元器件,两者在外形及静态参数极其相似,某些电子产品是存在技术垄断,在电路中有时它们的型号是被擦掉的,截止目前,它们在命名标准及型号统又没有统一标准,而外型及管脚的排列相似,根本无规律可循,成为维修过程中的拦路虎,如何区分和判断成为必要手段。MOS管和IGBT管的辨别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管的识别带阻尼的NPN型IGBT管与N沟道增强型MOMS管它们的栅极位置一样,IGBT管的C极位置跟MODS管的D极位置相对应,IGBT管的e极位置跟MODS管的S极位置相对应,对它们的好坏判断及及区分可以用动静态测量方法来完成。静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏先将两个管子的管脚短路放掉静电,MOS管的D极与S极之间有个PN接,正向导通反向截止,于是有Rgd=Rgs=Rds=无穷大,Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、e极的电阻应为无穷大,即Rgc=Rge=无穷大,而IGBT管的之间有阻尼二极管的存在,因此具有单向导电反向截止特性,即Rce=无穷大,Rec=几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏,却区分不出是那种管子。测量得阻值很小,则说明管子被击穿,测量阻值很大,说明管子内部断路。动态测量区分MOS管和IGBT管先用万用表给管子的栅极施加电压,是场效应管建立起沟道,然后测量D、S及c、e之间的阻值,根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、e之间的电阻,由于场效应管已经建立沟道,Rds=Rsd≈0,而Rce之间呈现电阻Rce,晶体三极管处于放大状态的导通电阻,Rec为内部阻尼二极管的导通电阻,两者均为几千欧。因此根据测量可知,两个管子的导通程度不一样,MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值,于是可以分辨出MOS与IGBT管。
电子元器件采购基础知识
一、电子元器件基础知识      电子元器件是电子元器件和电中小型的设备、仪器设备的构成部分,其自身常由多个零件组成,能够在同行业中通用性;喻指家用电器、无线通信、仪表盘等工业生产的一些零件,如电容、三极管、游丝、配件等子元器件的统称。电子元器件基础知识,作为一位电子元器件的采购,不单单是需要灵活的业务能力,还更需要掌握电子元器件的一些硬件的东西。如电子元器件的分类、型号识别、用途等专业基础知识,才能为企业提供更好、更专业的采购建议。那接下来就给大家盘点一些关于电子元器件基础知识。     二、电子元器件的分类 用于制造或组装电子整机用的基本零件称为电子元器件,元器件是电子电路中的独立个体。 1、主动元件与被动元件 主动元件指当获得能量供给时能够对电信号激发放大、振荡、控制电流或能量分配等主动功能甚至执行数据运算、处理的元件。主动元件包括各式各样的晶体管、集成电路(ic)、影像管和显示器等。被动元件相对于主动元件来说的,是指不能对电信号激发放大、振荡等,对电信号的响应是被动顺从的,而电信号按原来的基本特征通过电子元件。最常见电阻、电容、电感等就是被动元件。 有源元器件与无源元器件有源元器件对应的是主动元件。如果电子元器件工作时,其内部有电源在,则这种器件叫做有源器件,需要能量的来源而实现它特定的功能。有源器件自身也消耗电能,大功率的有源器件通常加有散热器。与无源元件相对应的是被动元件。电阻、电容和电感类元件在电路中有信号通过就能完成规定功能,不需要外加激励电源,所以称为无源器件。无源器件自身消耗电能很小,或把电能转变为不同形式的其他能量。 二、电子元器件基础知识-分立元器件与集成电路 半导体产业中有两大分支:集成电路和分立器件。分立元器件是与集成电路相对而言的,半导体分立器件,泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称三极管、三极管及半导体特殊器件,是功能单一、“最小”的元件,内部不再有其它元件功能单元。集成电路(ic integrated circuit)是一种把一类电路中所需的晶体管、阻容感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,封装为一整体,具有电路功能的电子元器件。   三、常用电子元器件的识别 1、 电阻 电子元器件基础知识之电阻。电阻器我们习惯称之为电阻,是电子设备中最常应用的电子元件, 电阻在电路中用“r”加数字表示,如:r13表示编号为13的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压偏置、滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等。 参数识别:电阻的单位为欧姆(ω),倍率单位有:千欧(kω),兆欧(mω)等。换算方法是:1兆欧(mω)=1000千欧(kω)=1000000欧。电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。 1.1、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472 表示 47×100ω=即4.7k;103 表示10000ω(10后面加三个0)也就是10kω 1.2、色环标注法使用最多,第一道色环表示阻值的最大一位数字,第二道色环表示第二位数字,第三道色环表示阻值未应该有几个零,第四道色环表示阻值的误差。       2、 电容 电子元器件基础知识之电容。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容在电路中一般用“c”加数字表示,如c223表示编号为223的电容电容的特性主要是隔直流通交流。电容器的主要参数也有两个,标称电容量和允许误差。 2.1、标称电容量,指电容器上标注的电容量,电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗xc=1/2πf c (f表示交流信号的频率,c表示电容容量)。 2.2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,也分直标法、色标法和数标法三种。电容的基本单位用法拉(f)表示,其它单位还有:毫法(mf)、微法(uf)、纳法(nf)、皮法(pf)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法。 2.3、直标法:容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如2200 uf/10v 2.4、数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。如:102表示10×102pf=1000pf。 3、 电感 电子元器件基础知识之电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势。 自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感在电路中常用“l”加数字表示,如:l3表示编号为3的电感。电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻类似。电感的基本单位为:亨(h) 换算单位有:1h=103mh=106uh。 4、 晶体二极管 二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。晶体二极管在收音机中对无线电波进行检波,在电源变换电路中把交流电变换成为脉动直流电,在数字电路中充当无触点开关等,都是利用了它的单向导电特性。晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1n4004)、隔离二极管(如1n4148)、肖特基二极管(如bat85)、发光二极管、稳压二极管等。 4.1、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的n极(负极),在二极管外表大多采用1种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示p极(正极)或n极(负极),也有采用符号标志为“p”、“n”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 4.2、主要参数:额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。最高反向工作电压,加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10,反向电流增大一倍。
解读MOS管驱动电路
MOS管导通特性 1、导通的意思是做为开关,等同于开关合闭。 2、NMOS的特性,Vgs超过一定的值就会导通,适用源极接地装置的状况(中低端驱动),要是栅极电压做到4V或10V就可以了。 3、PMOS的特性,Vgs低于一定的值就会导通,适用源极接Vcc的状况(高档驱动)。可是,尽管PMOS能够很便捷的作为高档驱动,但因为导通电阻器大,价钱贵,更换类型少等缘故,在高档驱动中,一般還是用NMOS。   MOS开关管损害 1、导通耗损指整流管从截止到导通时,所造成的输出功率耗损。无论是NMOS還是PMOS,导通后都是有导通电阻器存有,那样点电流量就会在这个电阻器上耗费动能,这些耗费的动能称为导通耗损。挑选导通电阻器小的MOS管会减少导通耗损,如今的小输出功率MOS管导通电阻器一般在几十毫伏上下。 2、MOS在导通和截至的情况下,一定并不是在一瞬间进行的。MOS两边的电压有一个降低的全过程,穿过的电流量有一个升高的全过程,在这段时间内,MOS管的损害时电压和电流量的相乘,称为开关损害。一般开关损害比导通损害大很多,并且开关頻率越快,损害也越大。 3、导通一瞬间电压和电流量的相乘非常大,导致的损害也非常大。减少开关時间,能够减少每一次导通时的损害,减少开关頻率,能够减少单位时间内的开关频次。这二种方法都能够减少开关损害。 4、软开关技术性,该电源电路是在全桥整流电路中添加电容器和二极管。二极管在开关管导通时起钳位功效, 并组成泻放控制回路, 泻放电流量。电容器在反激电压功效下, 电容器被电池充电, 电压不可以忽然提升, 当电压较为大的時候, 电流量早已为0。那样能够使开关耗损不大。       MOS管驱动 1、跟双旋光性晶体三极管对比,一般觉得使MOS管导通不用电流量,要是GS电压高过一定的值,就可以了 2、在MOS管的构造中能够见到,在GS、GD中间存有寄生电容,而MOS管的驱动,事实上便是对电容器的蓄电池充电。对电容器的电池充电必须一个电流量,由于电容器电池充电一瞬间能够把电容器当做短路故障,因此 一瞬间电流量会较为大。挑选/设计方案MOS管驱动时要留意的是可出示一瞬间短路容量的尺寸。 3、广泛用以高档驱动的NMOS,导通时必须是栅极电压超过源极电压。而高档驱动的MOS管导通时源极电压和漏极电压(Vcc)同样,因此 它是栅极电压要比Vcc大4V或10V。假如在同一个系统软件里,要获得比Vcc大的电压,就需要专业的升压电路了。许多 电机驱动器都集成化了电荷泵,要留意的是应当挑选适合的外置电容器,以获得充足的短路容量去驱动MOS管。 4、上面说的4V或10V是常见的MOS管的导通电压,设计方案时自然必须有一定的容量。并且电压越高,导通速率越快,导通电阻器也越小。如今也是有导通电压更小的MOS有用在不一样的行业,但在12V轿车电子控制系统里,一般4V导通就足够了。     MOS管运用电源电路 MOS管最明显的特性是开关特性好,因此 被广泛运用于必须电子器件开关的电源电路中,普遍的如开关开关电源和电机驱动电源电路,也是有照明灯具变光。如今的MOS驱动,几个尤其的要求:   1. 底压运用 当应用9V开关电源,此刻假如应用传统式的图腾柱构造,因为三极管的be仅有0.7V上下的损耗,造成 具体最后载入gate上的电压仅有4.3V,此刻,大家采用允差gate电压4.9V的MOS管就存有一定的风险性。一样的难题也产生在应用3V或是别的底压开关电源的场所。   2. 宽电压运用 键入电压并并不是一个数值,它会伴随着時间或是别的要素而变化。这一变化造成 PWM电路出示给MOS管的驱动电压不是平稳的。为了更好地让MOS管在高gate电压下安全性,许多 MOS管内嵌了稳压极管强制限定gate电压的幅度值。在这类状况下,当出示的驱动电压超出稳压极管的电压,就会造成很大的静态数据功能损耗。另外,假如简易的用电阻分压的基本原理减少gate电压,就会出現键入电压较为高的情况下,MOS管工作中优良,而键入电压减少的情况下gate电压不够,造成导通不足完全,进而提升功能损耗。   3、在电源模块中,常见的是开关电源IC立即驱动MOS管。应用中,应当留意较大 驱动最高值电流量、MOS管的寄生电容2个主要参数。这儿,开关电源IC的驱动工作能力、MOS寄生电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管开关速率。假如挑选MOS管寄生电容较为大,开关电源IC內部的驱动工作能力又不够时,必须在驱动电源电路上提高驱动工作能力,常应用图腾柱电源电路提升开关电源IC驱动工作能力。现阶段,各式各样的MOS管驱动电源电路并沒有一种驱动电源电路是最好是的,必须客户依据实际运用,融合MOS管生产商出示的使用手册,持续对电源电路及主要参数开展提升,才可以打磨抛光出最好自身运用的驱动计划方案来。
功率半导体器件的研究意义
功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础,是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位,它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40年来,普通晶闸管(Thyristor,SCR)、门极关断晶闸管(GTO)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)先后成为功率半导体器件的发展平台。能称为“平台”者,一般是因为它们具备以下几个特点:①长寿性,即产品生命周期长;②渗透性,即应用领域宽;③派生性,即可以派生出多个相关新器件家属。 电力电子变换器的功率等级覆盖范围非常广泛,包括小功率范围(几W到几kW),如笔记本电脑、冰箱、洗衣机、空调等;中功率范围(10kW到几MW),如电气传动、新能源发电等;大功率范围(高达几GW),如高压直流(HVDC)输电系统等。     电力电子变换器的应用领域越来越广泛,同时也对功率半导体器件提出了更高的性能需求。继前些年推出集成门极晶闸管(IGCT)和电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)后,如今采用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料的新型功率器件已经应运而生。目前,功率半导体的发展主要是其功率承受能力和开关频率之间的矛盾,往往功率越大,耐压越高,允许的开关频率就越低。从功率半导体器件的个体来说,大功率和高频化仍是现阶段发展的两个重要方向。 功率半导体器件应用需要考虑大功率电路应用的特性,如绝缘、大电流能力等,在实际应用中,以动态的“开”和“关”为运行特征,一般不运行在放大状态。由功率半导体器件构成的电力电子变换器实施的是电磁能量转换,而不是单纯的开/关状态,它的很多非理想应用特性在电力电子变换器中起着举足轻重的作用。要用好功率半导体器件,既要熟悉电力电子变换器的拓扑,更要充分掌握器件本身的特性。
详解何为IGBT
一说起IGBT,半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成电路制造一样,是国家“02专项”的重点扶持项目,这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品,已经全面取代了传统的Power MOSFET,其应用非常广泛,小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业,被称为电力电子行业里的“CPU”,长期以来,该产品(包括芯片)还是被垄断在少数IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA),位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位(简称 “02专项”)。 究竟IGBT是何方神圣?让我们一起来学习它的理论吧。 1、何为IGBT? IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。奇怪吧,它到底是MOSFET还是BJT?其实都不是又都是。不绕圈子了,他就是MOSFET和BJT的组合体。 我在前面讲MOSFET和BJT的时候提到过他们的优缺点,MOSFET主要是单一载流子(多子)导电,而BJT是两种载流子导电,所以BJT的驱 动电流会比MOSFET大,但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的,没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的,兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗),又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar  Device)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求,广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。     2、传统的功率MOSFET 为了等一下便于理解IGBT,我还是先讲下Power MOSFET的结构。所谓功率MOS就是要承受大功率,换言之也就是高电压、大电流。我们结合一般的低压MOSFET来讲解如何改变结构实现高压、大电流。     1)高电压:一般的MOSFET如果Drain的高电压,很容易导致器件击穿,而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B),所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate),而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度,而最讨厌的是到Source端,它则需要一个长长的漂移区来作为漏极串联电阻分压,使得电压都降在漂移区上就可以了。 2) 大电流:一般的MOSFET的沟道长度有Poly CD决定,而功率MOSFET的沟道是靠两次扩散的结深差来控制,所以只要process稳定就可以做的很小,而且不受光刻精度的限制。而器件的电流取决于W/L,所以如果要获得大电流,只需要提高W就可以了。 所以上面的Power MOSFET也叫作LDMOS (Lateral Double diffusion MOS)。虽然这样的器件能够实现大功率要求,可是它依然有它固有的缺点,由于它的源、栅、漏三端都在表面,所以漏极与源极需要拉的很长,太浪费芯片面积。而且由于器件在表面则器件与器件之间如果要并联则复杂性增加而且需要隔离。所以后来发展了VDMOS(Vertical DMOS),把漏极统一放到Wafer背面去了,这样漏极和源极的漂移区长度完全可以通过背面减薄来控制,而且这样的结构更利于管子之间的并联结构实现大功率化。但是在BCD的工艺中还是的利用LDMOS结构,为了与CMOS兼容。 再给大家讲一下VDMOS的发展及演变吧,最早的VDMOS就是直接把LDMOS的Drain放到了背面通过背面减薄、Implant、金属蒸发制作出来的,他就是传说中的Planar VDMOS,它和传统的LDMOS比挑战在于背面工艺。但是它的好处是正面的工艺与传统CMOS工艺兼容,所以它还是有生命力的。但是这种结构的缺点在于它沟道是横在表面的,面积利用率还是不够高。
低功耗MCU在家电中越来越普遍
在智能家电产品通电后,MCU就开始启动,由于MCU所消耗的电流只占整个家电产品消耗功率的很小一部分,所以通常对其工作电流大小不作要求,只要产品可以正常工作即可。一直到近几年,由于人们日益重视环保,市场上开始关注节能低碳的电子产品,对家电及电子产品的低耗能也提高了要求,因此低功耗MCU在家庭的各种电器产品上开始占据重要地位。   低功耗MCU的需求原因   在电子产品上需要低功耗MCU的原因大部分出自环保的考虑:一方面,地球温室效应造成的问题需要大家通过节约能源来解决;另一方面,大量的电池若没有按正常渠道回收可能会造成土地和水资源污染。具体来说,低功耗MCU的需求可以归纳为以下几种情况。   1. 一般家电电源来自电源插头,当插头插在插座上,即使家电没有启用也会消耗一些功率,通常来说这些消耗的功率越少越好。   2. 家电若具有时钟功能,则当插头离开插座后,时钟所需的电源需靠内部电池提供,因此电池必须能够维持较长时间。   3. 具有遥控功能的电器需维持较低的待机电流。   4. 使用电池供电的电器用品其电池使用寿命要越长越好。   5. 使用太阳能电池来代替使用一般电池的电子产品。 许多家电、音响、电视都会有遥控器接收电路,以方便使用该电器的各种选项及设定功能。当这些电器关闭时,并不是完全关闭电源,遥控器的接收电路还在继续工作,除非把插头拔掉,否则待机电流一直存在,这也会造成能源的浪费。若是能把此时的耗电降至,对节能省电也有不小的帮助,接收遥控器电路的MCU如果本身使用低功耗MCU就是降低此时待机电流的好方法。       为了能够随时侦测到遥控器发射的红外线载波信号,红外线的接收电路必须永远保持工作状态,为此基本的耗电是免不了的,节能的可行方法是将MCU的系统频率降低,让MCU运行在可以接受红外线遥控器信号的工作频率,从而节省其工作时的耗电。      家用电器的省电设计构思       对使用电池的产品而言,在符合成本的原则下,应选择消耗功率的MCU,因为电池废弃物的处理对环境影响很大,且电池内部的重金属会污染水资源及土地。比如家庭中厨房秤、遥控器以及某些具有时钟功能的小家电都会使用到电池,若是使用低功耗MCU,则可以减少电池用量,从而减少环境污染。减少电池用量可以从降低MCU的工作电流做起,同样功能的MCU,若是选择消耗电流减少一半的,则电池使用寿命将增加一倍,这样不仅减少购买电池的费用,也减少了电池的使用量。   太阳能电池,这可更进一部减少电池的用量,对环境保护将发挥的效果。我们常看到一些电子计算器使用太阳能来供电,如果低功耗MCU工作的电流及电压都大幅降低,则也有机会使用太阳能电池。在功耗需求较低的产品上,如温度计、湿度计、体温计、电子表、LCD显示电子钟等,使用小瓦数的太阳能电池就足够应付MCU所消耗的电流。太阳能是环保的能源,只要有太阳,产品就可以工作,不需担心电池耗尽问题,也不需更换电池,因而也不会造成环境污染。 特诺半导体有限公司,定制单片机开发项目,针对小家电、生活电器、数码设备、无线设备等项目开发,都有属于自己独到的理解,如果你有其他的需要,例如功能的定制、方案的定制等 单片机_MCU_微型控制器—特诺半导体   特诺半导体专注于研发高抗干扰性、高可靠性的通用型和专用型的8位和32位微控制器产品(MCU),并为客户提供相关的应用开发工具和解决方案。
N沟MOS晶体管与工作原理
N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。  由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。     NMOS集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接。不过,从NMOS到CMOS直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,因而需要使用一个(电位)上拉电阻R,R的取值一般选用2~100KΩ。N沟道增强型MOS管的结构在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图(c)所示。 N沟道增强型MOS管的工作原理(1)vGS对iD及沟道的控制作用① vGS=0 的情况从图1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。② vGS>0 的情况若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。排斥空穴:使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层。吸引电子:将 P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。(2)导电沟道的形成:当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1(c)所示。vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压,用VT表示。上面讨论的N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时,才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后,在漏——源极间加上正向电压vDS,就有漏极电流产生。
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