Tpench MOSFET
Trench MOS拥有更低的导通电阻和栅漏电荷密度，因而拥有更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。同时由于Trench MOS的沟道是垂直的，故可进一步提高其沟道密度，减小芯片尺寸，降低导通电阻。
场效应晶体管
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）
产品服务
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Planar MOSFET
硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。
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Superjunction MOSFET
比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性。
产品优势
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低FOM（Rdson*Qg）
我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C），其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗
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高雪崩耐量，100%经过EAS测试
提供Serverless服务模式。通过界面化简单部署配置，即可实现日志数据的采集与分析；提供专业的运维团队支持全程运维服务。
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抗静电能力（ESD）
提供高可靠的日志收集机制，保证数据传输安全；采用高可用的分布式架构存储，对数据进行多冗余备份存储。
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抗静电能力（ESD）
提供按需部署的使用方式，按需计费并可弹性扩展，在高效完成任务的同时可有效较低人力和费用成本
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符合RoHS标准
产品符合RoHS标准。
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低反向 恢复电荷（Qrr）/恢复峰值电流（Irm）
低反向 恢复电荷（Qrr）/恢复峰值电流（Irm）。
MOSFET工作区
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截止区域
这是设备将处于关闭状态且零电流流过的区域。在此，该设备用作基本开关，并在需要用作电气开关时使用。
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饱和区域
在该区域中，器件的漏极至源极电流值将保持恒定，而无需考虑漏极至源极两端的电压升高。当漏极到源极端子之间的电压增加超过夹断电压值时，只会发生一次。在这种情况下，该设备用作闭合开关，流过漏极到源极端子的电流达到饱和水平。因此，当设备应该进行切换时，选择饱和区域。
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线性/欧姆区域
该区域是漏极至源极两端的电流随漏极至源极路径两端电压的增加而增强的区域。当MOSFET器件在此线性区域中起作用时，它们将执行放大器功能。
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