IGBT与MOSFET占比快速提升

功率半导体器件经过60多年的发展，产品种类繁多，主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中，MOSFET和IGBT由于产品性能优越，近年来市场规模增长迅速，占比不断提升。IC Insights 报告中指出，在各类半导体功率器件中，未来最看好的产品是 MOSFET 与 IGBT 模组。

简单来说，MOSFET是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET具有导通电阻小、损耗低、驱动电路简单、热阻特性佳等优点，适合用于 PC、车载导航、电动交通工具、UPS 电源等电源控制领域。IHS预估，2022 年全球 MOSFET 市场规模接近 75 亿美元。

IGBT 是由双极型三极管 (BJT) 和 MOSFET 组成的复合式功率半导体器件，兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通电阻的优点。IGBT 驱动功率小，非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统，如新能源汽车、变频器、开关电源、照明电路、交流电机等，预估2020年全球IGBT市场空间达到60亿美元左右。