MOSFET_IGBT单管/模块_Diode_场效应管_MOS管_特诺半导体有限公司

MOS管被击穿的缘故及解决方法以下：

　　第一、MOS管自身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，因此 非常容易受外部磁场或静电的磁感应而感应起电，而小量正电荷就可在极间电容上产生非常高的工作电压（U=Q/C），将管道毁坏。尽管MOS键入端有抗静电的保护对策，但仍需当心看待，在储存和运送选用不锈钢容器或是导电性原材料包裝，不必放到易造成静电髙压的化工原料或化学纤维纺织物中。拼装、调节时，专用工具、仪表盘、操作台等均应优良接地装置。要避免 实际操作工作人员的静电影响导致的毁坏，如不适合穿涤纶、化学纤维衣服裤子，手或专用工具在触碰场效应管前先接一下地。对器件导线校直弯折或人力电焊焊接时，应用的机器设备务必优良接地装置。

　　第二、MOS电源电路键入端保护二极管，其通断时电流量容限一般为１ｍＡ 在很有可能出現过大暂态键入电流量（超出１０ｍＡ）时，应串连键入保护电阻器。而129#在前期设计方案时沒有添加保护电阻器，因此 这也是MOS管很有可能击穿的缘故，而根据拆换一个內部有保护电阻器的MOS管应可避免 此类无效的产生。也有因为保护电源电路消化吸收的一瞬间动能比较有限，很大的一瞬间数据信号和过高的静电工作电压将使保护电源电路丧失功效。因此 电焊焊接时电铬铁务必靠谱接地装置，防止走电击穿器件键入端，一般应用时，可关闭电源后运用电铬铁的余热回收开展电焊焊接，并先焊其接地装置引脚。

　　静电的基础物理学特点为：有吸引住或抵触的能量；有静电场存有，与地面有电势差；会造成充放电电流量。这三种情况会对电子器件元件导致下列危害：

　　1.元件吸咐尘土，更改路线间的特性阻抗，危害元件的作用和使用寿命。

　　2.因静电场或电流量破坏元件电缆护套和电导体，使元件不可以工作中（彻底破坏）。

　　3.因一瞬间的静电场软击穿或电流量造成超温，使元件负伤，尽管仍能工作中，可是使用寿命损伤。

　　所述这三种状况中，假如元件彻底破坏，定能在生产制造及质量检测中被发觉而清除，危害较少。假如元件轻度损伤，在一切正常检测中不容易被发觉，在这类情况下，经常因历经数次生产加工，乃至已在应用时，才被发觉破坏，不仅查验不容易，并且损害亦难以预料。静电对电子器件元件造成的伤害不逊于比较严重火灾事故和爆炸事件的损害。

　　电子器件元件及商品在什么情况会遭到静电破坏呢？能够那么说：电子设备从生产制造到应用的整个过程都遭到静电破坏的威协。从器件生产制造到软件装焊、整个机械装联、包裝运送直到商品运用，都会静电的威协下。在全部电子设备加工过程中，每一个环节中的每一个小流程，静电比较敏感元件都很有可能遭到静电的危害或遭受破坏，而事实上关键而又非常容易粗心大意的一点确是在元件的传输与运送的全过程。在这个全过程中，运送因挪动非常容易曝露在外部静电场（如历经髙压机器设备周边、职工挪动经常、车子快速挪动等）造成静电而遭受破坏，因此 传输与运送全过程必须需注意，以减少损失，防止不在乎的纠纷案件。