应用描述

   随着人们对智能手机的使用需求日益增加，智能手机性能提升的同时也带来了功率损耗大幅提升问题。在电池容量和体积受限情况下，手机充电器的快充技术成为提高电池续航能力的有效解决方案。为了满足人们小巧便携需求，手机快充渐渐趋向较小的外形尺寸和较大的输出功率，而这对制造厂家在解决温升高、热性能差等问题方面提出了新的技术挑战。

  为满足当下智能手机和平板电脑等充电器的需求，飞捷士科技推出了一系列可靠、高效的高压及低压MOSFET。第六代R系列平面高压MOSFET产品，涵盖200V-1700V电压全系列产品，在满足客户各种选型需求的同时，该系列产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。飞捷士科技自主研发的高压超结MOS，采用先进的多层外延和注入技术，有国内领先的Rsp和FOM(QG *RDS(on）) 。因其电流密度高、开关速度快、易用性好，为客户的高效率、高可靠性需求提供良好的选择。飞捷士科技的SGT工艺低压MOS，有优秀的FOM参数，便于客户提高产品功率密度；同时也开发了低VGS(th)产品，满足客户各种应用需求。多种封装形式如DFN8*8、DFN5*6等可满足终端应用小尺寸外形的需求。

  产品特色

	SJ MOS较低的FOM值，利于提升系统效率			产品参数一致性好
	SGT MOS较小的导通电阻，可满足温升、效率的要求			高可靠性

 

 

 应用原理图

 

 

  

 

 

 

  

 典型应用拓扑图