特诺 TNPF12N65 封装TO-220F
2020-12-24 10:31:12

特诺   TNPF12N65    封装TO-220F

硅N沟道增强

VDMOSFETs是通过自对准平面技术获得的

降低了导通损耗,改善了开关性能

性能和增强雪崩能量。晶体管

可用于系统的各种电源开关电路

小型化和高效率。包装形式是

TO-220F,符合RoHS标准。

 

特点:快速切换

l低导通电阻(Rdson≤0.8Ω)l低栅极电荷(典型数据:40nC)

低反向转移电容(典型值:9.5pF)

 100%单脉冲雪崩能量测试

应用:电源开关电路的适配器和充电器。